"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
Кучинский П.В., Ломако В.М., Рутковский И.З., Счастный В.В., Тарасевич А.Д., Шахлевич Л.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Методом емкостной спектроскопии установлено, что легирование кремния германием в диапазоне NGe~= 1018/2· 1021 см-3 не приводит к образованию электрически активных центров. Показано, что введение германия не влияет на энергетический спектр радиационных дефектов, их кинетику накопления, радиационное изменение времени жизни неосновных носителей заряда. На основании этого делается вывод, что на начальных потоках облучения (степень компенсации K=<sssim 0.7) атомы германия практически не влияют на процессы аннигиляции первичных радиационных дефектов в кремнии. Установлено также, что легирование кремния германием не влияет на процессы отжига и перестройки радиационных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.