"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
Баязитов Р.М., Ивлев Г.Д., Хайбуллин И.Б., Малевич В.Л., Саинов Н.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Исследованы динамика изменения отражательной способности имплантированного кремния при наносекундном лазерном отжиге и ее связь со структурой и электрофизическими характеристиками сформированных слоев. Установлено, что в процессе моноимпульсного воздействия на аморфные слои кремния (a-Si) имеет место промежуточная полицентровая кристаллизация метастабильной жидкой фазы, возникающей вследствие плавления a-Si при пониженной относительно точки плавления монокристаллического Si температуре. Плотность энергии моноимпульсного облучения a-Si определяет механизм жидкофазной кристаллизации (эпитаксиальный рост, полицентровый рост из нормального и переохлажденного расплавов), структуру и электрофизические характеристики рекристаллизованных слоев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.