Разработан универсальный подход к расчету частотной зависимости тензора дифференциальной подвижности горячих носителей заряда полупроводника \hat mu_alphabeta(omega) одночастичным методом Монте-Карло. В основу метода положена процедура, позволяющая по результатам процесса моделирования траектории пробного электрона pt в импульсном пространстве проводить восстановление локальных значений градиента стационарной функции распределения nabla _pf( p) с помощью динамической векторной функции zeta[ p_t] текущее значение которой однозначно определяется информацией, накапливаемой по ходу моделирования траектории. Показано, что использование функции xi[ p_t] при временном усреднении вдоль траектории дает возможность непосредственно в процессе моделирования невозмущенного стационарного состояния проводить расчет корреляционной матрицы \hat K_alphabeta(s)=(v_alpha( p_t+s) zeta_beta[ p_t]^t), фурье-образ которой является тензором подвижности носителей заряда \hat mu_alphabeta(omega)= e^{бесконечность}₀ \hat K_alphabeta(s)exp(-iomega s)ds. Приводится результаты расчетов \hat K_alphabeta(s) и \hat mu_alphabeta(omega) в условиях пролетного резонанса и эффекта Ганна в n-GaAs и НЕМАГа на ЦР в p-Ge. Обсуждаются преимущества и недостатки новой методики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.