"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
Королев В.Л., Сидоров В.Г.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

С целью количественной проверки теории люминесценции сильно легированных компенсированных полупроводников выполнены экспериментальные исследования спектров фотолюминесценции p-n-структур GaAs<Si> при контролируемых температуре (64/300 K), уровне возбуждения (1017/1020 фот/см2·с), степени компенсации (0/1) и уровне легирования [(1/7)·1018 см-3], а также расчеты спектров излучения. Показано соответствие теории эксперименту. Установлено, что в сильно компенсированном материале излучение связано с переходами TT- и BT-типа, причем вклад последних увеличивается с ростом температуры, уровня возбуждения и обусловлен распределением дырок в хвосте валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.