Вышедшие номера
Быстродействующий фототранзистор на гетероструктуре ZnSe-GaAs
Жук Б.В., Зленко А.А., Прохоров А.М., Разов Е.Н., Щербаков Е.А.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

Реализован фототранзистор на n-p-n-гетероструктуре ZnSe-GaAs в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом в эмиттерном переходе. Проведены теоретические оценки предельного быстродействия такого фототранзистора. Экспериментально получена чувствительность 100 А/Вт на частоте 200 МГц.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.