"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках n-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций
Байрамов М.А., Веденеев А.С., Волков Л.В., Ждан А.Г.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

Проведен последовательный учет влияния флуктуационного потенциала (ФП), обусловленного наличием локализованного заряда в области границы раздела полупроводник-диэлектрик, на кинетические характеристики каналов инверсии на поверхности полупроводника, определяемые из измерений эффекта Холла. На этой основе по экспериментальным зависимостям электропроводности канала и холловской концентрации носителей заряда nH от потенциала затвора Vg найдены для n-канальных "холловских" МОП транзисторов зависимости от поперечного электрического поля средней концентрации электронов в канале ns, эффективной mus, холловской muH и микроскопической mu0 подвижностей электронов, холл-фактора rH=ns/nH и дисперсии ФП <delta2>. Определен характерный энергетический масштаб ФП Delta=10 мэВ. Измерения выполнялись в области температур 220-300 K, отвечающих области слабых флуктуаций <delta2>/2<<1. Показано, что при слабой инверсии (ns=<1010 см-2)mu0 близка к подвижности электронов в массивном n-Si, контролируемой рассеянием "объемными" фононами, а при n>~=1012 см-2mu0 propto ns-1/3,T-1 что характерно для рассеяния электронов "поверхностными" фононами. Наличие ФП приводит к существенному изменению mus и muH относительно mu0, но сравнительно слабо сказывается на величине nH (rH~=1). Тем не менее пренебрежение зависимостью эффективного холл-фактора от средней концентрации электронов в канале ns исключает возможность корректного определения механизмов рассеяния носителей заряда в канале и характеристик ФП непосредственно по зависимостям muH от температуры T и nH.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.