Проведен последовательный учет влияния флуктуационного потенциала (ФП), обусловленного наличием локализованного заряда в области границы раздела полупроводник-диэлектрик, на кинетические характеристики каналов инверсии на поверхности полупроводника, определяемые из измерений эффекта Холла. На этой основе по экспериментальным зависимостям электропроводности канала и холловской концентрации носителей заряда n_H от потенциала затвора V_g найдены для n-канальных "холловских" МОП транзисторов зависимости от поперечного электрического поля средней концентрации электронов в канале n_s, эффективной mu_s, холловской mu_H и микроскопической mu₀ подвижностей электронов, холл-фактора r_H=n_s/n_H и дисперсии ФП <delta²>. Определен характерный энергетический масштаб ФП Delta=10 мэВ. Измерения выполнялись в области температур 220-300 K, отвечающих области слабых флуктуаций <delta²>/2<<1. Показано, что при слабой инверсии (n_s=<10¹⁰ см^-2)mu₀ близка к подвижности электронов в массивном n-Si, контролируемой рассеянием "объемными" фононами, а при n>~=10¹² см^-2mu₀ propto n_s^-1/3,T^-1 что характерно для рассеяния электронов "поверхностными" фононами. Наличие ФП приводит к существенному изменению mu_s и mu_H относительно mu₀, но сравнительно слабо сказывается на величине n_H (r_H~=1). Тем не менее пренебрежение зависимостью эффективного холл-фактора от средней концентрации электронов в канале n_s исключает возможность корректного определения механизмов рассеяния носителей заряда в канале и характеристик ФП непосредственно по зависимостям mu_H от температуры T и n_H.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.