Методами сканирующего эффекта Фарадея, ИК поглощения, температурной зависимости эффекта Холла и "проекционного" химического травления исследована радиальная неоднородность нелегированных монокристаллов n-GaAs с концентрацией носителей заряда n=1· 10¹⁴/1·10¹⁶ см^-3, диаметром ~60 мм. Показано, что основной причиной наблюдаемой электрической неоднородности является неравномерное распределение в объеме кристалла акцепторных центров N_A с энергетическим уровнем E_A~0.15 эВ, расположенным в верхней половине запрещенной зоны. Установлена зависимость концентрации и характера распределения центров N_A от плотности и характера распределения "высокотемпературных" дислокаций (ВД), образовавшихся при t>~=1100^oС. Предложен механизм формирования электрической неоднородности в нелегированных монокристаллах GaAs n-типа. Обсуждается вклад предложенного механизма в электрическую неоднородность нелегированного полуизолирующего GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.