Исследована кинетика примесной фотопроводимости (ПФП) образцов Si<В> с концентрацией бора N_a=(1/7)·10¹⁶ см^-3 и степенью компенсации K<10^-3. Измерения ПФП проводились в области температур 4.2/18 K при слабой фоновой подсветке полупроводника. Обнаружено, что в образцах Si<B> с N_a>~=4· 10¹⁶ см^-3 нейтральные атомы бора играют роль как уровней прилипания, так и уровней непрямой рекомбинации; последняя доминирует в области температур 4.2/5 K. В результате на кривых релаксации ПФП при T< 6 K возникает область быстрого спада, амплитуда которого растет с понижением температуры. По величине постоянной времени медленной релаксации ПФП определены коэффициенты непрямой рекомбинации дырок через примесные A⁺-состояния нейтральных атомов бора, а по соотношению амплитуд быстрой и медленной составляющих релаксации ПФП найдено отношение подвижностей дырок в валентной и примесной зонах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.