Исследовано влияние электрического поля напряженностью до ~10⁵ В/см на скорость термической эмиссии дырок e^t_p с глубоких уровней с энергиями активации 0.7, 0.4, 0.35 и 0.2 эВ в специально не легированном p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией. Увеличение e^t_p для последних трех уровней согласуется с ожидаемым в трехмерной модели эффекта Пула-Френкеля в случае однократно заряженного притягивающего кулоновского центра. Отсутствие зависимости e^t_p от поля для центра с энергией активации 0.7 эВ (уровень B в GaAs, полученном жидкостной эпитаксией) показывает, что этот центр не обладает притягивающим кулоновским потенциалом и, следовательно, уровень B не соответствует второму зарядовому состоянию дефекта с энергией активации 0.4 эВ (уровень A), как предполагалось ранее. Последний вывод подтверждается также сопоставлением изменений концентраций уровней A и B в приповерхностном слое при низкотемпературном отжиге.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.