"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
Циуляну Д.И.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Представлены результаты экспериментального исследования внутренней фотоэмиссии носителей заряда из ряда металлов в некоторые халькогенидные стеклообразные материалы. Показано, что высота контактного барьера для дырок зависит от работы выхода металла значительно слабее, чем следует ожидать по теории Шоттки--Мотта, и вместе с тем почти линейно возрастает с ростом ширины запрещенной зоны стеклообразного полупроводника. Результаты интерпретируются на основе модели, предполагающей наличие на границе раздела энергетических состояний и диэлектрической прослойки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.