При 77 K в образцах n-Si различных кристаллографических ориентации обнаружена сильная ориентационная зависимость вольтамперных характеристик фотопроводимости (ВАХ ФП). На основе всей совокупности экспериментальных данных установлено, что указанная зависимость является прямым следствием развития двух типов поперечных концентрационных эффектов на неравновесных носителях в условиях индуцированной электрическим полем анизотропии электронной проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.