"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением
Нидаев Е.В., Васильев А.Л.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Выявлены условия, необходимые для уверенного наблюдения стимулированной лазерным излучением кристаллизации аморфных слоев кремния, и проведены эксперименты по ее наблюдению. Обнаружено, что наличие излучения рубинового лазера снижает температуру кристаллизации до 200/300oС. Меняется характер процесса, кристаллизация идет неоднородно по площади. Обсуждаются возможные причины возникновения неоднородностей. Предложена модель, объясняющая полученные результаты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.