"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием
Мирзаев А., Махкамов Ш., Турсунов Н.А.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Методом емкостной спектроскопии подробно исследованы параметры уровней палладия в кремнии. Показано, что палладий в кремнии проявляет амфотерные свойства и образует три уровня: донорные --- Ev+(0.106±0.005), Ev+(0.31±0.01) и акцепторный --- Ec-(0.22±0.01) эВ с сечением захвата носителей тока sigmap1=4.7·10-16, sigmap3=1.1·10-15 и sigman2=4.9·10-15 см2 соответственно. Установлено, что при облучении гамма-квантами 60Co кремния, легированного палладием, повышается скорость образования комплекса вакансия + кислород. Повышение скорости образования комплексов вакансия + кислород объяснено радиационным распадом электрически неактивных комплексов палладия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.