"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование свойств пленок a-Si : H, имплантированных B+ и BF+2
Абдулгафаров С.Е., Кока А.П., Мукашев Б.Н., Наурзалин Р.Е., Талибаев Б.М., Токарев Ю.Н.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Приведены результаты сравнительного исследования оптических, электрических и фотоэлектрических свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния, имплантированного В+ и BF+2. Установлено, что коэффициент поглощения и оптическая ширина запрещенной зоны a-Si : H : В и a-Si : Н : В : F изменяются одинаково по мере увеличения дозы облучения. Сдвиг края оптического поглощения в длинноволновую область спектра достигает 0.2 эВ при Phi=1016 см-2. Анализ температурных зависимостей показал, что проводимость пленок a-Si : Н : В : F почти на порядок превышает соответствующие значения пленок a-Si : Н : В. Смещение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны a-Si : Н достигает 0.4 эВ при Phi=1016 см-2 для легированных образцов. Спектральная зависимость проводимости легированных образцов характеризуется наличием второго максимума, величина которого в пленках a-Si : Н : В : F выше, чем у a-Si : Н : В. Обнаруженные особенности легированных образцов объясняются в рамках предлагаемой модели, учитывающей механизм химического встраивания атомов бора и фтора в пленки исходного a-Si : Н.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.