"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения
Балтрамеюнас Р., Гаврюшин В., Рачюкайтис Г., Рыжиков В., Казлаускас А., Кубертавичюс В.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Методами лазерной спектроскопии нелинейного поглощения исследованы изовалентно легированные монокристаллы ZnSe : Те. Получены параметры оптической активности, энергии залегания и концентрация глубоких локальных центров, проявляющихся в процессе лазерной модуляции двухступенчатого поглощения света (ЛМ ДСП). Сопоставляются результаты спектроскопии ГЦ методами ЛМ ДСП, фотолюминесценции и стационарного примесного поглощения, полученные на кристаллах с различной технологической обработкой. Показано, что изовалентное легирование может способствовать комплексообразованию с участием собственных дефектов и изовалентных примесей. Предложена новая интерпретация природы центров "красной" (Сu-R) излучательной рекомбинации как связанной с формированием в ZnSe ассоциатов V-Zn+D++Te0Se0, которому способствуют эффекты самокомпенсации одновременно как заряда, так и локальной деформации решетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.