"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
Германенко А.В., Миньков Г.М., Румянцев Е.Л., Рут О.Э.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Исследованы магнитополевые (H=<60 кЭ) и температурные (T=1.7/77 K) зависимости коэффициента Холла (R) в одноосно деформированном p-InSb с концентрацией акцепторов NA~=1014/2·1016 см-3 при давлениях chi=< 4.5 кбар. Показано, что в одноосно деформированном p-InSb магнитное поле, сжимая волновые функции, приводит к росту энергии ионизации акцептора. При этом в материалах с NA>1015 см-3 при больших сжатиях, когда образец находится на металлической стороне перехода полупроводник--металл, магнитное поле приводит к обратному переходу в полупроводниковое состояние, когда NAa3~0.025/0.032. Наблюдаемые изменения varepsilonA(H,chi) свидетельствуют о том, что основное состояние акцептора в одноосно деформированном InSb является мелким.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.