Исследованы магнитополевые (H=<60 кЭ) и температурные (T=1.7/77 K) зависимости коэффициента Холла (R) в одноосно деформированном p-InSb с концентрацией акцепторов N_A~=10¹⁴/2·10¹⁶ см^-3 при давлениях chi=< 4.5 кбар. Показано, что в одноосно деформированном p-InSb магнитное поле, сжимая волновые функции, приводит к росту энергии ионизации акцептора. При этом в материалах с N_A>10¹⁵ см^-3 при больших сжатиях, когда образец находится на металлической стороне перехода полупроводник-металл, магнитное поле приводит к обратному переходу в полупроводниковое состояние, когда N_Aa³~0.025/0.032. Наблюдаемые изменения varepsilon_A(H,chi) свидетельствуют о том, что основное состояние акцептора в одноосно деформированном InSb является мелким.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.