Вышедшие номера
Общее количество статей:
10704
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
Распределение количества просмотров по годам:
711701
667342
642822
572905
494123
477627
439086
389182
472557
593946
588068
537509
536214
542326
525414
545413
568021
575821
502296
532215
499084
635945
646577
634953
607387
655152
661733
636820
608671
579928
479713
371592
235022
119725
35427
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
238
252
286
241
275
269
295
249
323
260
173

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Марин Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Зуев В.В.
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
4
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Востоков Н.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Икусов Д.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Болтовец Н.С.
Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3
Иванов В.Н.
Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Кудрик Я.Я.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Алёшкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Налет Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Никитина А.Г.
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
3
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Леденцов Н.Н.
Берлинский технический университет, Берлин, Германия
3
Петров П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов Ю.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давидюк Г.Е.
Волынский национальный университет им. Л. Украинки, Луцк, Украина
3
Божко В.В.
Волынский национальный университет им. Л. Украинки, Луцк, Украина
3
Булатецкая Л.В.
Волынский национальный университет им. Л. Украинки, Луцк, Украина
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Звонарева Т.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Алиев Ф.Ф.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кузнецов В.П.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Белова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов М.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Молдавская Л.Д.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Саблина Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Мурель А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Данилов Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лисовский И.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Сидоров Г.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Заморянская М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Савельев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Карачинский Л.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сейсян Р.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Усов С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Борщёв К.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Криволапчук В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов Р.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Камалов А.Б.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Зайцев С.В.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Слободян Т.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Булашевич К.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
2
Карпов С.Ю.
OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мурашова А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильева В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дымников В.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Глазов М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ахмедов Г.М.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Никонюк Е.С.
Национальный университет водного хозяйства и природоиспользования, Ровно, Украина
2
Захарук З.И.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Морозова Н.К.
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Мидерос Д.А.
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Галстян В.Г.
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2
Гаврищук Е.М.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Стамов И.Г.
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
2
Ткаченко Д.В.
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
2
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук Санкт-Петербург, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фролова Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Черкова С.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Каганович Э.Б.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Манойлов Э.Г.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Бегун Е.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Михрин В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Безъязычная Т.В.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Рябцев Г.И.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Сибирев Н.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Джафаров М.Б.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Антипов В.В.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Трошин А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Бордовский Г.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александрова Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов А.Г.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Геллер Н.М.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Надеждина Л.Б.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Шаманин В.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бочкарева Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горбунов Р.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Леликов Ю.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мартынов И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ребане Ю.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шретер Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Алиев С.А.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Агеева Н.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Броневой И.Л.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Кривоносов А.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Жмерик В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мизеров А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Ведерникова Т.В.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Берашевич Ю.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Ноздрин Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Мнацаканов Т.Т.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
1
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Захаров Н.Д.
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle/Saale, Germay
1
Нефедов И.С.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники Российской академии наук, Саратов, Россия
1
Новиков В.А.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Подешво И.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мухина О.Б.
Московский энергетический институт (ТУ), Москва, Россия
1
Rogl P.
Институт физической химии университета г. Вена, А- Вена, Австрия
1
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Bacher G.
Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik, Universitat Duisburg-Essen, Duisburg, Deutschland
1
Rashba E.I.
Department of Physics and Center for Nanoscale Systems, Harvard University, Cambridge, Massachusetts, USA and Department of Physics, Loughborough University, Leicestershire LE11 3TU, UK
1
Tarasenko S.A.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
1
Демидов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лукин А.Н.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
1
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мусаев А.М.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
1
Соколовский И.О.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Тиснек Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Агаев З.Ф.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Gwo S.
Department of Physics, National Tsing-Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
88
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
16
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
15
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
13
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
8
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
6
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
6
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
6
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
4
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
4
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
3
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2
Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
2
Ioffe Physicotechnical Institute, St. Petersburg, Russia
2
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Страдкляйдский университет, G4ONG Глазго, Великобритания
1