"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9836
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
179

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2008 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зуев В.В.
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
4
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Востоков Н.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Марин Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Булашевич К.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Икусов Д.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Болтовец Н.С.
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3
Иванов В.Н.
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Никитина А.Г.
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
3
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Божко В.В.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
3
Звонарева Т.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кудрик Я.Я.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Алёшкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Булатецкая Л.В.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
88
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
16
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
15
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
12
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
6
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
6
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
6
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
4
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
4
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
3
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2
Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
ООО Софт-Импакт, а/я 83, Санкт-Петербург, Россия
2
Ioffe Physicotechnical Institute, St. Petersburg, Russia
2
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Страдкляйдский университет, G4ONG Глазго, Великобритания
1