Вышедшие номера
Эффективный полупроводниковый лазер зеленого диапазона с электронно-лучевой накачкой на основе многослойных наноструктур AIIBVI
Зверев М.М.1, Гамов Н.А.1, Жданова Е.В.1, Перегудов Д.В.1, Студенов В.Б.1, Седова И.В.2, Гронин С.В.2, Сорокин С.В.2, Иванов С.В.2, Копьев П.С.2
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Исследованы параметры излучения полупроводникового Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазера с активной областью на основе 10 эквидистантно расположенных квантовых ям ZnSe с дробно-монослойными вставками квантовых точек CdSe и волноводом в виде короткопериодной сверхрешетки общей толщиной ~0.65 мкм при накачке электронным пучком. При комнатной температуре получены значения импульсной оптической мощности до 12 Вт с одного торца резонатора на длине волны 542 нм с рекордно высокой эффективностью ~8.5% при энергии пучка электронов 23 кэВ. PACS: 42.55.Px, 68.65.Hb, 81.05.Dz, 81.15.Hi, 68.37.Hk, 85.35.Be