Результаты воздействия на свойства SiC цикла "введение дефектов-отжиг-повторное введение дефектов" исследованы с помощью техники ядерной спектрометрии на примере деградации характеристик p-n-детекторов ядерного излучения. Облучение проводилось протонами с энергией 8 МэВ равными дозами по 3·10¹⁴ см^-2. Суммарная доза 6·10¹⁴ см^-2 соответствовала введению 2.4·10¹⁷ см^-3 первично смещенных атомов. Отжиг проходил в две стадии длительностью 1 ч каждая при температурах 600 и 700^oC. Детекторы тестировались alpha-частицами с энергией 5.4 МэВ и определялись эффективность переноса заряда и особенности формы амплитудного спектра. Измерения проводились в интервале 20-250^oC. Показано, что воздействие первой дозы и последующего отжига не изменяет существенным образом стойкости SiC. В ходе второй (равной первой) дозы значение эффективной концентрации введенных центров оказывается в 1.2 раза большим. Неэквивалентность доз можно также отнести к влиянию значительной величины суммарной дозы протонов - 6·10¹⁴ см^-2. PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.