Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 3 » Статья стр. 311
<<<>>>
Эффект Ваннье--Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si
Соболев М.М.1, Цырлин Г.Э.1, Тонких А.А.1, Захаров Н.Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle/Saale, Germay
Поступила в редакцию: 26 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
PDF версия
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из квантовых состояний в 20-слойной сверхрешетке квантовых точек Ge в p-n-гетероструктуре Ge/Si. Установлено, что DLTS-спектры находятся в сильной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения Ur. Определены три диапазона напряжения смещения Ur, которые характеризовались проявлением трех режимов эффекта Ваннье-Штарка: лестницы и локализации Ваннье-Штарка, а также нерезонансного туннелирования Зинера. Кроме того, установлено, что появление DLTS-пиков для всех трех режимов связывается с эмиссией электронов с глубоких уровней дефектов, идущей через локализованные состояния Ваннье-Штарка, образующиеся в результате расщепления мини-зоны электронов в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si. PACS: 73.21.Cd, 73.21.La, 73.63.Hs, 73.63.Kv
  1. H. Presting, H. Kibbel, M. Jaros, R.M. Turton, U. Menczigar, G. Abstreiter, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Technol., 7, 1127 (1992)
  2. O.L. Lazarenkova, A.A. Balandin. J. Appl. Phys., 89, 5509 (2001)
  3. N.D. Zakharov, V.G. Talalaev, P. Werner, A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin. Appl. Phys. Lett., 83, 3084 (2003)
  4. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, J.W. Tomm, P. Werner, U. Gosele. Nanoscale Res. Lett., 1 (2), 137 (2006)
  5. C. Hamaguchi, M. Yamaguchi, M. Morifuji, H. Kubo, K. Taniguchi, C. Gmachl, E. Gornik. Semicond. Sci. Technol., 9, 1994 (1994)
  6. D.M. Whittaker, M.S. Skolnick, G.W. Smith, C.R. Whitehouse. Phys. Rev. B, 42, 3591 (1990)
  7. H.G. Grimmeiss, V. Nagesh, H. Presting, H. Kibbel, E. Kasper. Phys. Rev. B, 45, 1236 (1992)
  8. M. Helm. Semicond. Sci. Technol., 10, 557 (1995)
  9. И.А. Дмитриев, Р.А. Сурис. ФТП, 35, 219 (2001)
  10. М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  11. М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 36, 1089 (2002)
  12. M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, G.E. Cirlin. Physica B, 340--342, 1103 (2003)
  13. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
  14. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 1088 (2005)
  15. М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 40, 84 (2006)
  16. М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин. Письма ЖТФ, 33, 68 (2007)
  17. M.M. Sobolev, A.E. Zhukov, A.P. Vasilev, E.S. Semenova, V.S. Mikhrin. AIP Conf. Proc., 893 (28th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors) p. 787 (2006)
  18. B. Deveaud, B. Lambert, B. Plot, A. Chomette, A. Regreny, J.C. Bourgoin, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 52, 3772 (1987)
  19. X. Letartre, D. Stievenard, M. Lanoo. J. Appl. Phys., 69, 7336 (1991)
  20. A.Z. Wang, W.A. Anderson. Sol. St. Electron., 38, 673 (1995)
  21. Y.B. Jia, H.G. Grimmeiss, Z.Y. Han, L. Dobaczewski. Semicond. Sci. Technol., 11, 1672 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme