Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект Ваннье--Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si
Соболев М.М.1, Цырлин Г.Э.1, Тонких А.А.1, Захаров Н.Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle/Saale, Germay
2Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle/Saale, Germay
Поступила в редакцию: 26 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из квантовых состояний в 20-слойной сверхрешетке квантовых точек Ge в p-n-гетероструктуре Ge/Si. Установлено, что DLTS-спектры находятся в сильной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения Ur. Определены три диапазона напряжения смещения Ur, которые характеризовались проявлением трех режимов эффекта Ваннье-Штарка: лестницы и локализации Ваннье-Штарка, а также нерезонансного туннелирования Зинера. Кроме того, установлено, что появление DLTS-пиков для всех трех режимов связывается с эмиссией электронов с глубоких уровней дефектов, идущей через локализованные состояния Ваннье-Штарка, образующиеся в результате расщепления мини-зоны электронов в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si. PACS: 73.21.Cd, 73.21.La, 73.63.Hs, 73.63.Kv
- H. Presting, H. Kibbel, M. Jaros, R.M. Turton, U. Menczigar, G. Abstreiter, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Technol., 7, 1127 (1992)
- O.L. Lazarenkova, A.A. Balandin. J. Appl. Phys., 89, 5509 (2001)
- N.D. Zakharov, V.G. Talalaev, P. Werner, A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin. Appl. Phys. Lett., 83, 3084 (2003)
- V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, J.W. Tomm, P. Werner, U. Gosele. Nanoscale Res. Lett., 1 (2), 137 (2006)
- C. Hamaguchi, M. Yamaguchi, M. Morifuji, H. Kubo, K. Taniguchi, C. Gmachl, E. Gornik. Semicond. Sci. Technol., 9, 1994 (1994)
- D.M. Whittaker, M.S. Skolnick, G.W. Smith, C.R. Whitehouse. Phys. Rev. B, 42, 3591 (1990)
- H.G. Grimmeiss, V. Nagesh, H. Presting, H. Kibbel, E. Kasper. Phys. Rev. B, 45, 1236 (1992)
- M. Helm. Semicond. Sci. Technol., 10, 557 (1995)
- И.А. Дмитриев, Р.А. Сурис. ФТП, 35, 219 (2001)
- М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
- М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 36, 1089 (2002)
- M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, G.E. Cirlin. Physica B, 340--342, 1103 (2003)
- М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
- М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 1088 (2005)
- М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 40, 84 (2006)
- М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин. Письма ЖТФ, 33, 68 (2007)
- M.M. Sobolev, A.E. Zhukov, A.P. Vasilev, E.S. Semenova, V.S. Mikhrin. AIP Conf. Proc., 893 (28th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors) p. 787 (2006)
- B. Deveaud, B. Lambert, B. Plot, A. Chomette, A. Regreny, J.C. Bourgoin, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 52, 3772 (1987)
- X. Letartre, D. Stievenard, M. Lanoo. J. Appl. Phys., 69, 7336 (1991)
- A.Z. Wang, W.A. Anderson. Sol. St. Electron., 38, 673 (1995)
- Y.B. Jia, H.G. Grimmeiss, Z.Y. Han, L. Dobaczewski. Semicond. Sci. Technol., 11, 1672 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
