"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной слоя InAs
Дроздов М.Н.1, Востоков Н.В.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Молдавская Л.Д.1, Мурель А.В.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Методом металлорганической газофазной эпитаксии изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs с квантовыми точками, демонстрирующие фотолюминесценцию в диапазоне 1.55 мкм при 300 K. Особенностью процесса роста является использование повышенной эффективности толщины слоя InAs deff для формирования квантовых точек в сочетании с низкотемпературным заращиванием их тонким (6 нм) слоем GaAs и со стадией отжига дефектов. Методами рентгеновской дифракции и фотолюминесценции в структурах с повышенной толщиной deff показано возникновение вторичного смачивающего слоя InGaAs поверх слоя квантовых точек из растворенных крупных релаксированных кластеров InAs при отжиге. Предложен новый механизм формирования крупных квантовых точек с большим значением "aspect ratio", основанный на 2D-3D трансформации вторичного слоя InGaAs в поле упругих напряжений ранее сформированных квантовых точек. Особенностью массива квантовых точек является наличие трех популяций квантовых точек разных размеров с многомодовой фотолюминесценцией в диапазоне от 1 до 1.6 мкм. Исследуется применение таких структур в качестве фотоприемников на инфракрасный диапазон 1-2.5 мкм при комнатной температуре. PACS: 78.55.Gr, 85.60.Cz, 68.65.Hb, 78.67.Hc, 81.15.Gh
  1. D. Fekete, H. Dery, A. Rudra, E. Kapon. J. Appl. Phys., 99 (3), 034 304 (2006)
  2. J.F. Chen, R.S. Hsiao, Y.P. Chen, J.S. Wang, J.Y. Chi. Appl. Phys. Lett., 87 (14), 141 911 (2005)
  3. A. Passaseo, R. Rinaldi, M. Longo, S. Antonaci, A.L. Convertino, R. Cingolani, A. Taurino, M. Catalono. J. Appl. Phys. 89 (8), 4341 (2001)
  4. В.М. Устинов. ФТП, 38 (8), 963 (2004)
  5. A.A. El-Emawy, S. Birudavolu, P.S. Wong, Y.-B. Jiang, H. Xu, S. Huang, D.L. Huffaker. J. Appl. Phys., 93 (9), 3529 (2003)
  6. Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, Н.В. Крыжановская, А.Б. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Р. Селин, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (9), 1097 (2002)
  7. N. Nuntawong, S. Huang, Y.B. Jiang, C.P. Hains, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 87 (11), 113 105 (2005)
  8. I.N. Kaiander, R.L. Sellin, T. Kettler, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 84 (16), 2992 (2004)
  9. G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. Mereuta, J.M. Gerard, I. Sagner. J. Cryst. Growth, 235, 89 (2002)
  10. L.D. Moldavskaya, V.M. Daniltsev, M.N. Drozdov, V.R. Zakamov, V.I. Shashkin. Conf. Proc. Narrow Gap Semiconductors 2005". (Institute of Physics Conference Series, N 187)
  11. Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин. ФТП, 42 (1), 101 (2008)
  12. V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, Yu.N. Drozdov, O.I. Khrykin, A.V. Murel, N.V. Vostokov. Proc. EW MOVPE VIII (Prague, June 8-11, 1999) p. 159
  13. G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, P. Acosta-Diaz, R. Songmuang, G. Katsaros, O.G. Schmidt, K. Kern. Phys. Rev. Lett., 96 (22), 226 106 (2006)
  14. S.J. Lee, J.O. Kim, S.K. Noh, J.W. Choe, K.-S.-Lee. J. Cryst. Growth, 284, 39 (2005)
  15. Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, Н.В. Востоков, В.И. Шашкин. Изв. РАН, 71 (1), 107 (2007)
  16. A. Lenz, H. Eisele, R. Timm, S.K. Becker, R.L. Sellin, U.W. Pohl, D. Bimberg, M. Dahne. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3848 (2004)
  17. В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, А.В. Мурель, Н.В. Востоков, Taek Kim, Yong-Jo Park. ФТП, 40 (4), 455 (2006)
  18. H. Zhu, Z. Wang, H. Wang. I. Cui, S. Feng. J. Cryst. Growth, 197, 372 (1999)
  19. H. Lim, W. Zhang, S. Tsao, T. Sills, J. Szafraniec, K. Mi, B. Movaghar, M. Razeghi. Phys. Rev. B, 72, 085 332 (2005)
  20. S. Liang, H.L. Zhu, J.Q. Pan, L.P. Hou, W. Wang. J. Cryst. Growth, 282, 297 (2005)
  21. I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, S.V. Morozov, D.O. Filatov, A.V. Zdoroveishev. Nanotechnology, 12, 425 (2001)
  22. N. Nuntawong, J. Tatebayashi, P.S. Wong, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 90, 163 121 (2007)
  23. J.S. Kim, J.H. Lee, S.U. Hong, W.S. Han, H.-S. Kwack, J.H. Kim, D.K. Oh. J. Appl. Phys., 94 (4), 2486 (2003)
  24. В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.Р. Закамов, А.Ю. Лукьянов, Л.Д. Молдавская, А.В. Мурель. Прикл. физика, 2, 73 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.