"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек
Школьник А.С.1, Савельев А.В.2, Карачинский Л.Я.1, Гордеев Н.Ю.1, Сейсян Р.П.1, Зегря Г.Г.1, Pellegrini S.3, Buller G.S.3, Евтихиев В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Riccarton, Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom
Поступила в редакцию: 21 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Представлены результаты фотолюминесцентных исследований с временным разрешением гетероструктур, содержащих однослойные массивы InAs/GaAs-квантовых точек. Исследована двухкомпонентная временная зависимость интенсивности фотолюминесценции из основного состояния квантовых точек с характерными временами "медленной" компоненты до сотен наносекунд и "быстрой" в единицы наносекунд. Показано, что "медленная" компонента обусловлена процессами переноса неравновесных носителей заряда между квантовыми точками. При низких температурах время "медленной" составляющей определяется процессом туннелирования, а при высоких --- процессом термического выброса неравновесных носителей заряда. Соотношение вкладов туннелирования и термического выброса определяется степенью изолированности квантовых точек. Построена теоретическая модель, описывающая влияние динамики переноса носителей на возникновение и затухание "медленной" компоненты фотолюминесценции. PACS: 73.21.La, 73.63.-b
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  2. G. Yusa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 70, 345 (1997)
  3. C. Reese, C. Becher, A. Imamoglu, E. Hu, B.D. Gerardot, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 78, 2279 (2001)
  4. D. Bimberg, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, Z.I. Alferov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 196 (1997)
  5. A.S. Shkolnik, L.Ya. Karachinsky, N. Yu. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev, S. Pellegrini, G.S. Buller. Appl. Phys. Lett., 86, N 211, 112 (2005)
  6. L.Ya. Karachinsky, S. Pellegrini, G.S. Buller, A.S. Shkolnik, N.Yu. Gordeev, V.P. Evtikhiev, V.B. Novikov. Appl. Phys. Lett., 84, 7 (2004)
  7. S. Pellegrini, G.S. Buller, L.Ya. Karachinsky, A.S. Shkolnik, N.Yu. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev, I.R. Sellers, M.S. Skolnik, H.Y. Liu, M. Hopkinson. SPIE Photonics West 2005 Int. Symp. (January 2005, San Jose, California, USA). [Proc. SPIE, 5725, 309 (2005)]
  8. A.V. Savelyev, A.I. Tartakovskii, M.S. Skolnik, D.J. Mowbray, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, R.P. Seisyan. Appl. Phys. Lett., 88 (11), 1104 (2006)
  9. K.S. Gill, N. Moskovitz, L.-C. Wang, M.S. Sherwin, A. Badolato, B. Gerardot, P. Petroff. Appl. Phys. Lett., 87 (16), 2101 (2005)
  10. A. Marent, M. Geller, D. Bimberg, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 89 (07), 2103 (2006)
  11. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
  12. V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, A.K. Kryganovskii, A.M. Boiko, R.A. Suris, A.N. Titkov. J. Cryst. Growth, 201/202, 1154 (1999)
  13. В.П. Евтихиев, И.В. Кудряшов, Е.Ю. Котельников, В.Е. Токранов, А.Н. Титков, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 1482 (1998)
  14. J.M. Smith, P.A. Hiskett, I. Gontijo, L. Purves, G.S. Buller. Rev. Sci. Instrum., 72, 2325 (2001)
  15. D.V. O'Connor, D. Phillips. Time-Correlated Single Photon Counting (Academic, London, 1984)
  16. Ж.И. Алфёров, А.Б. Журавлев, Е.Л. Портной, Н.М. Стельмах. Письма ЖТФ, 12, 452 (1996)
  17. A.S. Shkol'nik, V.P. Evtikhiev, I.V. Kudryashov, E.Yu. Kotelnikov, E.B. Dogonkin, V.G. Talalaev, B.V. Novikov, J.W. Tomm, G. Gobsch. Nanotechnology, 12, 512 (2001)
  18. P.D. Buckle, P. Dawson, S.A. Hall, X. Chen, M.L. Steer, D.J. Mowbray, M.S. Skolnik, M. Hopkinson. J. Appl. Phys., 86, 2555 (1999)
  19. R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 56, 10 435 (1997)
  20. D.Z. Garbuzov, V.P. Evtikhiev, N.I. Katcavets, A.B. Komissarov, T.E. Kudrik, I.V. Kudrayshov, V.B. Khalfin, R.K. Bauer, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. J. Appl. Phys. 75, 4152 (1994)
  21. A. Javier, D. Magana, T. Jennings, G.F. Strose. Appl. Phys. Lett., 83, 1483 (2003)
  22. M. Niirmal, D.J. Norris, M. Kuno, M.G. Bawedi, Al.L. Efros, M. Rosen. Phys. Rev. Lett., 75, 3728 (1995)
  23. M. Niirmal, C.B. Murray, M.G. Bawedi. Phys. Rev. B, 50, 2293 (1994)
  24. M.G. Bawedi, P.J. Carroll, W.L. Wilson, L.E. Brus. J. Chem. Phys., 96, 946 (1992)
  25. E.B. Dogonkine, V.N. Golovatch, A.S. Polkovnikov, A.V. Pozdnyakov, G.G. Zegrya. Prog. 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St.Petersburg, Russia, June 2000) p. 399
  26. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М.: Мир, 1983)
  27. S. Sanguinetti, M. Henini, M. Grassi Alessi, M. Gapizzi, P. Frigeri, S. Franchi. Phys. Rev. B, 60, 8276 (1999)
  28. P.N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, L. Eaves, P.C. Main, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, S.G. Konnikov. Phys. Rev. B, 65, 085 326 (2002)
  29. A.V. Savelyev, L.Ya. Karashinsky, A.S. Shkolnik, S. Pellegrini, N.Yu. Gordeev, A.I. Tartakovskii, V.P. Evtikhiev, G.G. Zegrya, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, R.P. Seisyan, G.S. Buller, M.S. Skolnick. Int. Conf. Physics of Semiconductors (ICPS 2006) (Vienna, Austria, July 2006). [AIP Conf. Proc., 893, 987 (2007)]
  30. C.M.A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, P.N. Brunkov, B.V. Volovik, S.G. Konnikov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 76, 1573 (2000)
  31. A.V. Savelyev, A.S. Shkolnik, S. Pellegrini, L.Ya. Karachinsky, A.I. Tartakovskii, R.P. Seisyan. Prog. 13th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St.Petersburg, Russia, 2005) p. 6.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.