Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
Дроздов Ю.Н.1, Красильник З.Ф.1, Кудрявцев К.Е.1, Лобанов Д.Н.1, Новиков А.В.1, Шалеев М.В.1, Шенгуров Д.В.1, Шмагин В.Б.1, Яблонский А.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 5 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Выполнены сравнительные исследования фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001). Сигнал люминесценции островков наблюдается вплоть до комнатной температуры. Отжиг структур приводит к коротковолновому сдвигу пика люминесценции, величина которого зависит от температуры отжига, что позволяет контролируемо изменять спектральное положение пика люминесценции островков Ge(Si) в диапазоне 1.3-1.55 мкм. Увеличение температурного гашения фотолюминесценции островков с ростом температуры отжига связывается со снижением содержания Ge в островках в процессе отжига, что приводит к уменьшению глубины потенциальной ямы для дырок в островках. Продемонстрировано существенное подавление температурного гашения электролюминесценции островков Ge(Si) в неотожженной структуре при увеличении тока накачки. PACS: 78.55.Ap, 78.60.Fi, 78.67.Hc, 81.07.Ta
- G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
- Z.F. Krasilnik, B.A. Andreev, D.I. Kryzhkov, L.V. Krasilnikova, V.P. Kuznetsov, D.Yu. Remizov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, A.N. Yablonskiy, T. Gregorkievicz, N.Q. Vinh, W. Jantsch, V.Yu. Timoshenko, D.M. Zhigunov. J. Mater. Res., 21 (3), 574 (2006)
- H. Presing, H. Kibbel, M. Jaros, R.M. Turton, U. Menczigar, G. Abstreiter, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Technol., 7, 127 (1992)
- V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi A, 198, R4 (2003)
- O.G. Schmidt, U. Denker, S. Christiansen, F. Ernst. Appl. Phys. Lett., 81, 2614 (2002)
- P. Boucaud, S. Sauvage, M. Elkurdi, E. Mercier, T. Brunhies, V. Le Thanh, D. Bouchier, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahell. Phys. Rew. B, 64, 155 310 (2001)
- L. Vescan, T. Stoica, O. Chretien, M. Goryll, E. Mateeva, A. Muck. J. Appl. Phys., 87, 7275 (2000)
- В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67, 46 (1998)
- S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama. Thin Sol. Films, 321, 65 (1998)
- A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on Physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Science and Encyclopedia Publishers, Vilnius, 1994)
- C.-K. Sun, G. Wang, J.E. Bowers, B. Brar, H.-R. Blank, H. Kroemer, M.H. Pilkuhn. Appl. Phys. Lett., 68, 1543 (1996)
- M.W. Dashiell, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 79, 2261 (2001)
- H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 3024 (1995)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 6, 425 (2002)
- W.-H. Chang, A.T. Chou, W.Y. Chen, H.S. Chang, T.M. Hsu, Z. Pei, P.S. Chen, S.W. Lee, L.S. Lai, S.C. Lu, M.-J. Tsai. Appl. Phys. Lett., 83, 2958 (2003)
- Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
- М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.А. Захарченя, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 46 (1), 10 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
