"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
Дроздов Ю.Н.1, Красильник З.Ф.1, Кудрявцев К.Е.1, Лобанов Д.Н.1, Новиков А.В.1, Шалеев М.В.1, Шенгуров Д.В.1, Шмагин В.Б.1, Яблонский А.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Выполнены сравнительные исследования фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001). Сигнал люминесценции островков наблюдается вплоть до комнатной температуры. Отжиг структур приводит к коротковолновому сдвигу пика люминесценции, величина которого зависит от температуры отжига, что позволяет контролируемо изменять спектральное положение пика люминесценции островков Ge(Si) в диапазоне 1.3-1.55 мкм. Увеличение температурного гашения фотолюминесценции островков с ростом температуры отжига связывается со снижением содержания Ge в островках в процессе отжига, что приводит к уменьшению глубины потенциальной ямы для дырок в островках. Продемонстрировано существенное подавление температурного гашения электролюминесценции островков Ge(Si) в неотожженной структуре при увеличении тока накачки. PACS: 78.55.Ap, 78.60.Fi, 78.67.Hc, 81.07.Ta
  1. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
  2. Z.F. Krasilnik, B.A. Andreev, D.I. Kryzhkov, L.V. Krasilnikova, V.P. Kuznetsov, D.Yu. Remizov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, A.N. Yablonskiy, T. Gregorkievicz, N.Q. Vinh, W. Jantsch, V.Yu. Timoshenko, D.M. Zhigunov. J. Mater. Res., 21 (3), 574 (2006)
  3. H. Presing, H. Kibbel, M. Jaros, R.M. Turton, U. Menczigar, G. Abstreiter, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Technol., 7, 127 (1992)
  4. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi A, 198, R4 (2003)
  5. O.G. Schmidt, U. Denker, S. Christiansen, F. Ernst. Appl. Phys. Lett., 81, 2614 (2002)
  6. P. Boucaud, S. Sauvage, M. Elkurdi, E. Mercier, T. Brunhies, V. Le Thanh, D. Bouchier, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahell. Phys. Rew. B, 64, 155 310 (2001)
  7. L. Vescan, T. Stoica, O. Chretien, M. Goryll, E. Mateeva, A. Muck. J. Appl. Phys., 87, 7275 (2000)
  8. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67, 46 (1998)
  9. S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama. Thin Sol. Films, 321, 65 (1998)
  10. A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on Physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Science and Encyclopedia Publishers, Vilnius, 1994)
  11. C.-K. Sun, G. Wang, J.E. Bowers, B. Brar, H.-R. Blank, H. Kroemer, M.H. Pilkuhn. Appl. Phys. Lett., 68, 1543 (1996)
  12. M.W. Dashiell, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 79, 2261 (2001)
  13. H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 3024 (1995)
  14. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 6, 425 (2002)
  15. W.-H. Chang, A.T. Chou, W.Y. Chen, H.S. Chang, T.M. Hsu, Z. Pei, P.S. Chen, S.W. Lee, L.S. Lai, S.C. Lu, M.-J. Tsai. Appl. Phys. Lett., 83, 2958 (2003)
  16. Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  17. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.А. Захарченя, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 46 (1), 10 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.