"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнитная восприимчивость твердых растворов Bi2Te3--Sb2Te3
Степанов Н.П.1, Гильфанов А.К.1, Иванова Л.Д.2, Гранаткина Ю.В.2
1Забайкальский государственный гуманитарно-педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия
2Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Исследована магнитная восприимчивость монокристаллов твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3, содержащих 0, 10, 25, 40, 50, 60, 65, 70, 80, 90, 99.5 и 100 мол% Sb2Te3, выращенных методом Чохральского. Магнитная восприимчивость кристаллов определялась при температуре T=291 K и ориентации вектора напряженности магнитного поля H параллельно (chi||) и перпендикулярно (chi normal ) тригональной оси кристалла C3. Обнаружена сложная концентрационная зависимость величины анизотропии магнитной восприимчивости chi||/chi normal . В кристаллах с концентрацией свободных носителей заряда p~ 5·1019 см-3 анизотропия магнитной восприимчивости исчезает. Переход в изотропное магнитное состояние происходит при составах, отличающихся резким увеличением ширины оптической запрещенной зоны от 200 до 300 мэВ. PACS: 71.28.+d, 75.20.Ck, 75.30.Gw
  1. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 ( М., Наука, 1972)
  2. M. Matyas. Czechosl. J. Phys., 8, 309 (1958)
  3. R. Mansfield. Proc. Phys. Soc., 74, 599 (1960)
  4. A. Van Itterbeek, N. Van Deynse, C. Herinckx. Physica, 32, 2123 (1966)
  5. Л.В. Иванова, Ю.В. Гранаткина, Ю.А. Сидоров. Неорг. матер., 35, 44 (1999)
  6. В.И. Чечерников. Магнитные измерения (М., МГУ, 1963)
  7. R. Sehr, L.R. Testardi. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1219 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.