"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода n-GaAs-p-Ge
Гаджиалиев М.М.1, Пирмагомедов З.Ш.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Исследовано влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода n-GaAs-p-Ge при 77 и 300 K. Обнаружено слабое изменение прямого и обратного токов гетероперехода в магнитном поле. Установлено, что наблюдаемое изменение токов гетероперехода главным образом обусловлено вариацией потенциального барьера вследствие изменения концентрации неосновных носителей тока с магнитным полем. Найдено, что вольтовая магниточувствительность гетероперехода на порядок меньше, чем вольтовая магниточувствительность германиевого магнитодиода. PACS: 75.70.Cn, 72.20.My, 73.40.Kp
  1. Э.И. Каракушан, В.И. Стафеев. ФТТ, 3, 677 (1961)
  2. Э.И. Каракушан, В.И. Стафеев. ФТТ, 3, 2031 (1961)
  3. R. Parshad, S.C. Mehta. Indian J. Pure Appl. Phys., 5, 23 (1967)
  4. М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов. ФТТ, 3, 677 (1961)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.