Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов). Обнаружена цикличность сверхбыстрой автомодуляции, заключавшаяся в том, что форма автомодуляции спектра (количество и спектральное положение выступов) повторялась через некоторое время T_c, относящееся к пикосекундному диапазону. Изменения T_c в течение импульса накачки и при увеличении энергии этого импульса обнаружили зависимость времени цикла T_c от интенсивности накачки. В предположении, что автомодуляция поглощения света отображает автомодуляцию энергетического распределения носителей заряда, эксперимент обнаружил следующее. В процессе сверхбыстрой автомодуляции отклонения заселенностей разных энергетических уровней от фермиевского распределения меняются со временем взаимосвязано, распределение обеднений заселенности в зоне проводимости циклически повторяется во времени, время цикла уменьшается при возрастании интенсивности накачки GaAs. PACS: 42.65.Re, 71.35.Ee, 72.30.+q, 78.30.Fs, 78.45.+h, 78.47.-p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.