Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры

Качурин Г.А.¹, Черкова С.Г.¹, Володин В.А.¹, Марин Д.В.¹, Deutschmann M.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Laser Zentrum Hannover, Hannover, Germany

Поступила в редакцию: 14 мая 2007 г.

Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено действие мощных наносекундных (20 нс) и фемтосекундных (120 фс) лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры, создаваемые ионно-лучевым синтезом в слоях SiO₂ или осаждением на стеклянные подложки. Наносекундные отжиги приводят к появлению полосы фотолюминесценции вблизи 500 нм, ее интенсивность растет с энергией и числом импульсов. Источниками излучения считаются кластеры атомов Si, сегрегированных из окисла. Наносекундные импульсы позволяют также кристаллизовать аморфные кремниевые нанопреципитаты в SiO₂. Сильное легирование способствует кристаллизации. Длительности фемтосекундных импульсов недостаточно для сегрегации избыточного Si из SiO₂. Вместе с тем они кристаллизуют тонкие пленки a-Si на стекле. Диапазон энергий обоих типов импульсов, при которых наблюдалась кристаллизация, допускал кратковременное плавление поверхности. PACS: 61.46.Df, 61.46.Hk, 64.70.Nd, 78.67.Bf, 82.50.Hp

Е.И. Штырков, И.Б. Хайбуллин, М.Ф. Галяутдинов, М.М. Зарипов. Опт. и спектр., N 5, 1031 (1975)
Г.А. Качурин, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. ФТП, 9, 1428 (1975).
J.A. Van Vechten, R. Tsu, W.F. Saris. Phys. Lett., 74A, 422 (1979)
J. Grun, R.P. Fischer, M. Peckerar, C.L. Felix, B.C. Covington, W.J. DeSisto, D.W. Donnelly, A. Ting, C.K. Manka. Appl. Phys. Lett., 77, 13 (2000)
T. Takamori, R. Messier, R. Roy. Appl. Phys. Lett., 20, 201 (1972)
Yu.L. Khait, R. Beserman, A. Chack, W. Beyer. J. Appl. Phys., 97, 123 508 (2005)
S. Juodkazis, K. Nishimura, S. Tanaka, H. Misawa, E.G. Gamaly, B. Luther-Davies, L. Hallo, P. Nicolai, V.T. Tikhonchuk. Phys. Rev. Lett., 96, 166 101 (2006)
C.V. Shank, P. Yen, C. Hirlimann. Phys. Rev. Lett., 50 (16), 454 (2006)
K. Sokolovski-Tinten, J. Bialkowski, D. von der Linde. Phys. Rev. B, 51 (20), 14 186 (1995)
H.W.K. Tom, G.D. Aumiller, C.H. Brito-Cruz. Phys. Rev. Lett., 60 (14), 1438 (1998)
P.L. Silvestrelli, A. Alavi, M. Parrinello, D. Frenkel. Phys. Rev. Lett., 77 (15), 3149 (1996)
М.Д. Ефремов, В.В. Болотов, В.В. Володин, С.А. Кочубей, А.В. Кретинин. ФТП, 36, 109 (2002)
T.Y. Choi, D.J. Hwang. Opt. Eng., 42, 3383 (2003)
J.-M. Shieh, Z.-H. Chen, B.-T. Dai, Y.-C. Wang, A. Zaitsev, C.-L. Pan. Appl. Phys. Lett., 85 (7), 1232 (2004)
A. Janotta, Y. Dikce, M. Schmidt, C. Eisele, M. Stutzmann, M. Luysberg, L. Houben. J. Appl. Phys., 95, 4060 (2004)
G.L. Lee, S.H. Song, Y.P. Lee, H. Cheong, C.S. Yoon, Y.D. Son, J. Jang. Appl. Phys. Lett., 89, 151 907 (2006)
Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, М.-О. Ruault. ФТП, 36, 685 (2002)
A. Zimina, S. Eisebitt, W. Eberhardt, J. Heitmann, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett., 88, 163 103 (2006)
P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
Zh. Ma, P. Han, Y. Sui, S. Chen, B. Qian, W. Li, J. Xu, L. Xu, K. Chen, D. Feng. Thin Sol. Films, 515, 2322 (2006)
L. Csepregi, E.F. Kennedy, T.J. Gallaher, J.W. Mayer, T.W. Sigmon. J. Appl. Phys., 48, 4234 (1977)
J.R.A. Carlsson, S.F. Gong, X.-H. Li, H.T.G. Hentzell. J. Appl. Phys., 70, 4857 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель