"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN
Усов С.О.1, Цацульников А.Ф.1, Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Спектры фотолюминесценции образцов, содержащих ультратонкие слои InGaN в матрицах AlGaN и GaN, экспериментально исследованы в интервале температур от 80 до 300 K. Показано, что температурные зависимости описываются в рамках модели Елисеева и параметр дисперсии энергии локализации экситонов зависит от среднего состава индия в твердых растворах InGaN, входящих в активную область исследуемых образцов. Из анализа низкоэнергетической части формы линии спектра была также определена энергия Урбаха, характеризующая энергию локализации экситонов в хвостах плотности состояний. Показано, что полученные значения дисперсии энергии локализации экситонов и энергии Урбаха, используемые для оценки эффектов локализации экситонов, линейно зависят от длины волны пика фотолюминесценции в диапазоне от ультрафиолетовой до зеленой части спектра. PACS: 78.55.-m, 78.67.Hc, 78.55.Cr
  1. J. Christen, D. Bimberg. Phys. Rev. B 42, 7213 (1990)
  2. P.G. Eliseev. J. Appl. Phys. 93, 5404 (2003)
  3. D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov. 13th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, June 20--25, 2005) p. 294
  4. S.O. Usov, A.F. Tsatsul'nikov, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, E.M. Arakcheeva, N.N. Ledentsov. 14th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, June 26--30, 2006) p. 281
  5. S.O. Usov, A.F. Tsatsul'nikov, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, E.M. Arakcheeva, N.N. Ledentsov. Semicond. Sci. Technol., 22, 528 (2007)
  6. Yong-Hoon Cho, G.H. Gainer, A.J. Fischer, J.J. Song, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 73, 1370 (1998)
  7. R.J. Potter, N. Balkan. J. Phys.: Condens. Matter, 16, S3387 (2004)
  8. R.W. Martin, P.G. Middleton, K.P. O'Donnell, W. Van der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74, 263 (1999)
  9. H.P.D. Schenk, M. Leroux, P. Mierry. J. Appl. Phys., 88, 1525 (2000)
  10. M. Oueslati, M. Zouaghi, M.E. Pistol, L. Samuelson, H.G. Grimmeiss, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 32, 8220 (1985)
  11. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 69, 4188 (1996)
  12. A. Satake, Y. Masumoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, F. Nakamura, M. Ikeda. Phys. Rev. B, 57, R2041 (1998)
  13. S. Nakamura. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 712 (1997)
  14. E.I. Schubert, I.D. Goeofert, W. Grieshaber, J.M. Redwing. Appl. Phys. Lett., 71, 921 (1997)
  15. J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, B.P. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 71, 1572 (1997)
  16. M.D. Mc Cluskey, C.G. Van de Walle, C.P. Master, L.T. Romano, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 72, 2725 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.