Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотопроводимость тонких пленок аморфного гидрированного кремния

Казанский А.Г.¹, Кошелев О.Г.¹, Сазонов А.Ю.², Хомич А.А.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Ontario, N2L 3G1, Canada

Поступила в редакцию: 20 февраля 2007 г.

Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства пленок нелегированного аморфного гидрированного кремния (a-Si:H) толщиной 60-100 нм. Измерены температурные зависимости фотопроводимости в области температур 130-440 K и спектральные зависимости коэффициента поглощения в области края поглощения. Сравнительные измерения величины фотопроводимости при комнатной температуре и коэффициента поглощения в "дефектной" области спектра (энергия фотонов hnu=1.2 эВ) указывают на то, что рекомбинация неравновесных носителей и соответственно фотопроводимость пленок a-Si:H толщиной ~ 100 нм определяются концентрацией содержащихся в них дефектов. PACS: 73.50.Gr, 73.50.Pz, 73.61.Jc

I. Solomon, M.H. Brodsky. J. Appl. Phys., 51, 4548 (1980)
D.G. Ast, M.H. Brodsky. J. Non-Cryst. Sol., 35--36, 611 (1980)
S. Hasegawa, D. Ando, Y. Kurata, T. Shimizu. Phil. Mag. B, 47, 139 (1983)
S. Hasegawa, T. Shimizu, Y. Kurata. Phil. Mag. B, 49, 511 (1984)
B. Ranchoux, D. Jousse, J.-C. Bruyere, A. Deneuville. J. Non-Cryst. Sol., 59--60, 185 (1983)
L. Yang, I. Balberg, A. Catalano, M. Bennett. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 192, 243 (1990)
H. Fritzsche. In: Semiconductors and Semimetals, v. 21, ed. by J.I. Pankov (N.Y.--London--Toronto--Tokyo, Academic Press Inc., 1984) part C, p. 309
T. Shimizu, X. Xu, H. Kidoh, A. Morimoto, M. Kumeda. J. Appl. Phys., 64, 5045 (1988)
F. Siebke, W. Beyer, J. Heriot, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 339 (1991)
G. Amato, G. Benedetto, L. Boarino, F. Giorgis, R. Spagnolo. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 258, 258 (1992)
Л.А. Балагуров, Я.Я. Кютте, Э.М. Омельяновский, С.А. Осташко, Л.Е. Стыс, М.Г. Фойгель. ФТП, 19, 1046 (1985)
D. Ritter, K. Weiser. Optics Commun., 57, 336 (1986)
M. Sasaki, S. Okamoto, Y. Hishikawa, S. Tsuda, S. Nakano. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 34, 541 (1994)
W. Wyrsch, F. Finger, T.J. McMahon, M. Vanecek. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 347 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель