Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические исследования пленок AlN/n-Si (100), полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

Заяц Н.С.¹, Бойко В.Г.¹, Генцарь П.А.¹, Литвин О.С.¹, Папуша В.П.¹, Сопинский Н.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 11 апреля 2007 г.

Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены морфологические и оптические (спектры отражения в диапазоне 200-750 нм, спектры пропускания в диапазоне 2-25 мкм, эллипсометрия) исследования пленок AlN толщиной 2-3 мкм, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления алюминиевой мишени в газовой смеси Ar и N₂ (1 : 3) с осаждением на подложки из монокристаллического кремния n-Si (100) с удельным сопротивлением 20-60 Ом · см. Показано, что пленки являются плотными, прозрачными, аморфными с кристаллическими зернами и могут эффективно использоваться в тонкопленочной технологии для изготовления современных микро- и оптоэлектронных приборов. PACS: 73.61.Ey, 73.61.Jc, 78.40.Pg, 78.66.Fd

П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
Тез. лекций и докл. 3-й Росс. школы ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремния и приборных структур на его основе. " Кремний. Школа 2005" (М., МИСиС, 2005).
А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33 (9), 1096 (1999)
M.C. Luo, X.L. Wang, J.M. Li, H.X. Liu, L. Wang, D.Z. Sun, Y.P. Zeng, L.Y. Lin. J. Crys. Growth, 244, 229 (2002)
H.-E. Cheng, T.-C. Lin, W.-C. Chen. Thin Sol. Films, 425, 85 (2003)
M.A. Auger, L. Vazquez, M. Jergel, O. Sanchez, J.M. Albella. Surf. Coat. Technol., 180-181, 140 (2004)
C.H. Lai, A. Chin, B.F. Hung, C.F. Cheng, W.J. Yoo, M.F. Li, C. Zhu, S.P. McAlister, D.-L. Kwong. IEEE Electron. Dev. Lett., 26 (3), 148 (2005)
Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
V.Y. Davydov, Y.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evaretov. Phys. Rev. B, 58 (19), 12 899 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель