Вышедшие номера
Оптические исследования пленок AlN/n-Si (100), полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Заяц Н.С.1, Бойко В.Г.1, Генцарь П.А.1, Литвин О.С.1, Папуша В.П.1, Сопинский Н.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Проведены морфологические и оптические (спектры отражения в диапазоне 200-750 нм, спектры пропускания в диапазоне 2-25 мкм, эллипсометрия) исследования пленок AlN толщиной 2-3 мкм, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления алюминиевой мишени в газовой смеси Ar и N2 (1 : 3) с осаждением на подложки из монокристаллического кремния n-Si (100) с удельным сопротивлением 20-60 Ом · см. Показано, что пленки являются плотными, прозрачными, аморфными с кристаллическими зернами и могут эффективно использоваться в тонкопленочной технологии для изготовления современных микро- и оптоэлектронных приборов. PACS: 73.61.Ey, 73.61.Jc, 78.40.Pg, 78.66.Fd