"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стимулированное излучение гетероструктур на основе CdxHg1-xTe при комнатной температуре в условиях оптической накачки
Андронов А.А.1, Ноздрин Ю.Н.1, Окомельков А.В.1, Бабенко А.А.2, Варавин В.С.2, Икусов Д.Г.2, Смирнов Р.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Сообщается об экспериментальном наблюдении стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1.4-4.5 мкм гетероструктур на основе CdxHg1-xTe при оптической накачке. В экспериментах использовались варизонные образцы CdxHg1-xTe, выращенные на подложках GaAs и Si с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция таких структур наблюдалась при температурах 77-300 K при импульсной накачке образцов Nd : YAG-лазером (длина волны 1.064 мкм). При комнатной температуре стимулированное излучение наблюдалось на длинах волн 1.4-1.7 мкм. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из объемных варизонных структур CdxHg1-xTe на подложках Si и GaAs. PACS: 78.45.+h, 78.55.Et, 78.66.Hf
  1. J. Bleuse, J. Bonnet-Gamard, G. Mula, N. Magnea, J.-L. Pautrat. J. Cryst. Growth, 197, 529 (1999)
  2. A.P. Ongstad, R. Kaspi, C.E. Moeller, M.L. Tilton, J.R. Chavez, G.C. Dente. J. Appl. Phys., 95 (4), 1619 (2004)
  3. Y. Jiang, M.C. Teich, W.I. Wang. J. Appl. Phys., 69 (10), 6869 (1991)
  4. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
  5. R. Dornhaus, G. Nimtz. Springer Tracts in Mod. Phys., 78, 1 (1978)
  6. Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, А.П. Котков, А.Н. Моисеев, Н.Д. Гришнова. Письма ЖЭТФ, 80 (1), 29 (2004)
  7. Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, А.П. Котков, А.Н. Моисеев, Н.Д. Гришнова. ФТП, 38 (12), 1419 (2004)
  8. А.А. Андронов, Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, В.С. Варавин, Р.Н. Смирнов, Д.Г. Икусов. ФТП, 40 (11), 1300 (2006)
  9. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.