"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ионизация в электрическом поле DX-центра, связанного с серой, в In1-xGaxP
Крутоголов Ю.К.1
1Научно-исследовательский институт материалов электронной техники, Калуга, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

С помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней и вольт-фарадных измерений исследовано влияние электрического поля на процесс ионизации DX-центра, связанного с серой, в слоях In1-xGaxP (x~0.65) n-типа проводимости, выращенных методом газовой эпитаксии. Показано, что при увеличении напряженности электрического поля от 1.3·104 до 1.9·105 В/см энергия активации центра падает от ~0.38 до ~0.26 эВ, причем процесс ионизации определяется многофононным туннелированием. По оцененному значению времени туннелирования дефекта сделано заключение, что DX-центр соответствует модели большой релаксации решетки. PACS: 61.72.Ji, 71.55.Eq
  1. D.V. Lang. In: Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (N.Y., Gordon and Breach Science Publisher, 1986) p. 489
  2. P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  3. T.N. Morgan. Phys. Rev. B, 34, 2664 (1986)
  4. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10 063 (1989)
  5. P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
  6. S.W. Biernacki. Sol. St. Commun., 98, 863 (1996)
  7. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  8. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  9. Н.Т. Баграев, Н.М. Колчанова, В.А. Машков. Письма ЖЭТФ, 45, 231 (1987)
  10. S. Markram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 25, 6406 (1982)
  11. В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 2319 (1986)
  12. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
  13. M. Mizuta, M. Tachikawa, H. Kukimito, S. Minomura. Jpn. J. Appl. Phys., 24, L143 (1985)
  14. T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wright. Phys. Rev. Lett., 60, 361 (1988)
  15. L. Dobaczewski, J.E. Dmochowski, J.M. Langer. Semicond. Sci. Technol., 6, 752 (1991)
  16. J.R. Morante, J. Samitier, A. Cornet, A. Herms. Appl. Phys. Lett., 45, 1317 (1984)
  17. I.D. Hwang, B. Choe. Jpn. J. Appl. Phys., 25, L891 (1986)
  18. M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Semicond. Sci. Technol., 6, 973 (1991)
  19. J. Krynicki, M.A. Zaidi, M. Zazoui, J.C. Bourgoin, M. DiForte-Poisson, C. Brylinski, S.L. Delage, H. Blank. J. Appl. Phys., 74, 260 (1993)
  20. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
  21. S.D. Ganichev, E. Ziemann, W. Prettl, I.N. Yassievich, A.A. Istratov, E.R. Weber. Phys. Rev. B, 61, 10 361 (2000)
  22. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38, 937 (2004)
  23. C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 54, R14 246 (1996)
  24. Д.Е. Онопко, Н.Т. Баграев, А.И. Рыскин. ФТТ, 37, 2376 (1995)
  25. A.V. Skazochkin, Yu.K. Krutogolov, G.G. Bondarenko. Semicond. Sci. Technol., 11, 495 (1996)
  26. Ю.К. Крутоголов, В.Л. Крюков, Ю.И. Кунакин, А.А. Матяш, А.К. Горбунов. Поверхность, N 12, 61 (2004)
  27. Yu.K. Krutogolov, Yu.I. Kunakin, A.A. Matyash. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 12, 645 (2001)
  28. N.T. Bagraev. Sol. St. Commun., 95, 365 (1995)
  29. L. Dobaczewski, P. Kaczor, M. Missous, A.R. Peaker, Z.R. Zytkiewicz. Phys. Rev. Lett., 68, 2508 (1992)
  30. Н.Т. Баграев. ЖЭТФ, 100, 1378 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.