"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пространственное распределение дефектов и кинетика неравновесных носителей заряда в вюрцитных кристаллах GaN, легированных Sm, Eu, Er, Tm и дополнительно введенной примесью Zn
Мездрогина М.М.1, Криволапчук В.В.1, Кожанова Ю.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

На основании анализа время-разрешенных и стационарных спектров фотолюминесценции установлено, что пространственное распределение примеси редкоземельных ионов в вюрцитных кристаллах GaN, легированных Sm, Eu, Er, Tm, определяется как типом и концентрацией дефектов в исходной полупроводниковой матрице, так и типом (сегрегационной особенностью) примеси. Легирование многозарядной примесью редкоземельных ионов и дополнительно введенной примесью Zn приводит к сенсибилизации излучения. Для рассмотрения эффекта сенсибилизации излучения в случае кристаллов GaN с n- и p-типами проводимости использована модель изоэлектронных ловушек. PACS: 71.55.Eq, 78.47.+p, 78.55.Cr
  1. J.H. Park, A.J. Steckl. Appl. Phys. Lett., 85 (20), 4588 (2004)
  2. J.H. Park, A.J. Steckl. J. Appl. Phys., 98, 056 108 (2005)
  3. J.U. Hite, G.T. Thaler, R. Khanna, C.R. Abemanthy, S.J. Pearton, J.H. Park, A.J. Steckl, J. Zavada. Appl. Phys. Lett., 89, 132 119 (2006)
  4. S. Kim, S.J. Rhese, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 76 (17), 2403 (2000)
  5. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45 (9), 1556 (2003)
  6. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Ю.В.. Кожанова, С.Н. Родин. ФТП, 40 (9), 1033 (2006)
  7. М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков. ФТП, 40 (12), 1412 (2006)
  8. C.L. Wu, J.-Y. Hen, S. Gao. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 2071 (2004)
  9. В.Ю. Некрасов, Л.П. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП, 33, 1428 (1999)
  10. H.J. Lozukowsky. Phys. Rev. B, 48 (24), 17 758 (1993)
  11. J.B. Gruber, B. Zandi, H.J. Lozukowsky. J. Appl. Phys., 91 (5), 2929 (2002)
  12. М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гейгерова. Спектры люминесценции европия (М., Наука, 1974)
  13. P.P. Seregin, M.M. Mezdrogina, F.S. Nasredinov, Zh. Abdumanapov. Phys. Status Solidi B, 155 (2), 107 (1989)
  14. A.S. Segal, A.V. Kondratyev, S.Yu. Karpov, D. Martin, V. Wagner, M. Illegems. J. Cryst. Growth, 270 (3--4), 800 (2004)
  15. A. Asano. Appl. Phys. Lett., 56 (5), 533 (1990)
  16. В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (31 января--2 февраля, М., 2007) с. 14
  17. А.Н. Семенов, В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, С.В. Иванов. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (3--5 июля, СПб., 2005) с. 56
  18. M. Reshnikov, H. Morkos. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)
  19. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B 49, 1613 (1994)
  20. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин, Н.М. Шмидт. ФТТ, 46 (5), 814 (2004)
  21. Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.