Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пространственное распределение дефектов и кинетика неравновесных носителей заряда в вюрцитных кристаллах GaN, легированных Sm, Eu, Er, Tm и дополнительно введенной примесью Zn
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
На основании анализа время-разрешенных и стационарных спектров фотолюминесценции установлено, что пространственное распределение примеси редкоземельных ионов в вюрцитных кристаллах GaN, легированных Sm, Eu, Er, Tm, определяется как типом и концентрацией дефектов в исходной полупроводниковой матрице, так и типом (сегрегационной особенностью) примеси. Легирование многозарядной примесью редкоземельных ионов и дополнительно введенной примесью Zn приводит к сенсибилизации излучения. Для рассмотрения эффекта сенсибилизации излучения в случае кристаллов GaN с n- и p-типами проводимости использована модель изоэлектронных ловушек. PACS: 71.55.Eq, 78.47.+p, 78.55.Cr
- J.H. Park, A.J. Steckl. Appl. Phys. Lett., 85 (20), 4588 (2004)
- J.H. Park, A.J. Steckl. J. Appl. Phys., 98, 056 108 (2005)
- J.U. Hite, G.T. Thaler, R. Khanna, C.R. Abemanthy, S.J. Pearton, J.H. Park, A.J. Steckl, J. Zavada. Appl. Phys. Lett., 89, 132 119 (2006)
- S. Kim, S.J. Rhese, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 76 (17), 2403 (2000)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45 (9), 1556 (2003)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Ю.В.. Кожанова, С.Н. Родин. ФТП, 40 (9), 1033 (2006)
- М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков. ФТП, 40 (12), 1412 (2006)
- C.L. Wu, J.-Y. Hen, S. Gao. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 2071 (2004)
- В.Ю. Некрасов, Л.П. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП, 33, 1428 (1999)
- H.J. Lozukowsky. Phys. Rev. B, 48 (24), 17 758 (1993)
- J.B. Gruber, B. Zandi, H.J. Lozukowsky. J. Appl. Phys., 91 (5), 2929 (2002)
- М.И. Гайдук, В.Ф. Золин, Л.С. Гейгерова. Спектры люминесценции европия (М., Наука, 1974)
- P.P. Seregin, M.M. Mezdrogina, F.S. Nasredinov, Zh. Abdumanapov. Phys. Status Solidi B, 155 (2), 107 (1989)
- A.S. Segal, A.V. Kondratyev, S.Yu. Karpov, D. Martin, V. Wagner, M. Illegems. J. Cryst. Growth, 270 (3--4), 800 (2004)
- A. Asano. Appl. Phys. Lett., 56 (5), 533 (1990)
- В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (31 января--2 февраля, М., 2007) с. 14
- А.Н. Семенов, В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, С.В. Иванов. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (3--5 июля, СПб., 2005) с. 56
- M. Reshnikov, H. Morkos. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)
- S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B 49, 1613 (1994)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин, Н.М. Шмидт. ФТТ, 46 (5), 814 (2004)
- Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
