"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным delta-легированием
Шашкин В.И.1, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Разработана методика диагностики параметров низкобарьерных диодов Шоттки, основанная на анализе зависимости дифферениального сопротивления диода с барьером Мотта и приповерхностным delta-легированием. Показано, что возможно полное описание вольт-амперных характеристик диода при учете последовательно включенного n--n+-перехода. Методика позволяет оптимизировать диоды для достижения более высокой чувствительности при детектировании. PACS: 73.61.Ey, 73.30.+y, 73.63.-b, 73.40.Gk, 73.43.Cd
  1. H. Norde. J. Appl. Phys., 50, 5052 (1979)
  2. C.-D. Lien, F.C.T. So, M.-A. Nicolet. IEEE Trans. Electron. Dev., 31, 1502 (1984)
  3. H. Werner. Appl. Phys. A, 47, 291 (1988)
  4. V. Aubry, F. Meyer. J. Appl. Phys., 76, 7973 (1994)
  5. В.И. Шашкин, А.В. Мурель. ФТП, 38, 574 (2004)
  6. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36, 537 (2002)
  7. В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин. Изв. вузов. Радиофизика, XLVIII, 1 (2005)
  8. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.