"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Захарий Фишелевич Красильник\% (1906-2006) ( к 60-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
[!t] Исполнилось 60 лет известному специалисту в области физики полупроводников и полупроводниковых наноструктур, заместителю директора, заведующему отделом физики полупроводников Института физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН), профессору, доктору физико-математических наук Захарию Фишелевичу Красильнику. Закончив в 1970 г. радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, З. Ф. Красильник начал работать в г. Горьком в Научно-исследовательском радиофизическом институте. В 1977 г. он был переведен во вновь образованный Институт прикладной физики Академии наук СССР (ИПФ АН СССР), где прошел путь от младшего научного сотрудника до заместителя директора отделения физики твердого тела, заведующего отделом физики полупроводников. В 1977 г. защитил кандидатскую, а в 1988 г. докторскую диссертации. Им были предсказаны взрывная неустойчивость акустоэлектронных волн в условиях генерации гиперзвука светом при вынужденном рассеянии Мандельтштама-Бриллюэна, комбинационное усиление звука в пьезополупроводниках в условиях черенковского резонанса при скоростях дрейфа меньше скорости звука. Наибольшую известность из работ тех лет получили исследования горячих носителей заряда в полупроводниках, одним из важнейших результатов которых явилось получение индуцированного циклотронного излучения горячими дырками с отрицательными эффективными массами в германии и создание перестраиваемого магнитным полем мазера миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. В 1987 г. за цикл работ в этом направлении З. Ф. Красильнику была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники. С 1994 г. З. Ф. Красильник - заместитель директора, заведующий отделом физики полупроводников вновь образованного Института физики микроструктур РАН, где по его инициативе были начаты работы по развитию технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованию оптических свойств кремний-германиевых структур и структур кремний-эрбий. Результатом этих исследований стало возникновение двух новых научных направлений кремниевой оптоэлектроники. Одновременно с ведущими зарубежными исследовательскими группами была развита технология выращивания структур с самоорганизующимися германий-кремниевыми квантовыми точками. Под его руководством коллективом исследователей в ИФМ РАН и Научно-исследовательском физико-техническом институте Нижегородского государственного университета были получены излучающие эпитаксиальные кремниевые структуры, легированные эрбием, с рекордной квантовой эффективностью и уникальными свойствами излучающих центров. В кремний-германиевых структурах с квантовыми точками и в многослойных наноразмерных структурах кремний-эрбий получена эффективная электролюминесценция в важном для телекоммуникаций диапазоне длин волн вблизи 1.5 мкм при температурах вплоть до комнатной. Достигнутые результаты получили научное признание во всем мире и работы в этом направлении развиваются при широком международном сотрудничестве. З. Ф. Красильник является соруководителем ведущей научной школы, которая с 1996 г. по настоящее время неизменно получает государственную поддержку. Помимо исследовательской деятельности он ведет большую научно-организационную и педагогическую работу, являясь членом программных комитетов ряда научных конференций, членом редколлегии журнала << Физика и техника полупроводников>>, членом Научного совета РАН по физике полупроводников и экспертного совета РФФИ по физике. В 1989-2004 гг. З. Ф. Красильник являлся заведующим филиалом кафедры электроники Горьковского (Нижегородского) государственного университета (ННГУ) в ИПФ АН СССР (с 1994 г. - в ИФМ РАН). С 2004 г. З. Ф. Красильник - заведующий межфакультетской базовой кафедрой ННГУ в ИФМ РАН <<Физика наноструктур и наноэлектроника>>, на которой проходят обучение свыше 50 студентов всех трех физических факультетов Нижегородского университета. Под его руководством защищено 6 кандидатских диссертаций, и еще более 10 молодых ученых защитили диссертации в рамках возглавляемой им научной школы. Большинство из них остались в науке и продолжают работать в институте. Неизменная доброжелательность и открытость в общении в сочетании с высокой требовательностью в первую очередь к себе, большой жизненной энергией привлекают к Захарию Фишелевичу людей самых разных возрастов и специальностей как в России, так и за ее пределами. Свое шестидесятилетие он встречает полным новых творческих замыслов: только что << вошла в строй>> одна из наиболее хорошо оборудованных в России лабораторий фемто- и наносекундной спектроскопии полупроводниковых наноструктур. Желаем Захарию Фишелевичу крепкого здоровья, творческого долголетия и успехов во всех его начинаниях. Коллеги, друзья и коллектив редколлегии журнала << Физика и техника полупроводников>>
  1. H. Norde. J. Appl. Phys., 50, 5052 (1979)
  2. C.-D. Lien, F.C.T. So, M.-A. Nicolet. IEEE Trans. Electron. Dev., 31, 1502 (1984)
  3. H. Werner. Appl. Phys. A, 47, 291 (1988)
  4. V. Aubry, F. Meyer. J. Appl. Phys., 76, 7973 (1994)
  5. В.И. Шашкин, А.В. Мурель. ФТП, 38, 574 (2004)
  6. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36, 537 (2002)
  7. В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, В.М. Данильцев, А.В. Масловский, А.В. Мурель, С.Д. Никифоров, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин. Изв. вузов. Радиофизика, XLVIII, 1 (2005)
  8. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.