"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры излучения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN: модель двумерной комбинированной плотности состояний
Бадгутдинов М.Л.1, Юнович А.Э.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами проанализированы на основе модели двумерной комбинированной плотности состояний в активной области, которая учитывает флуктуации потенциала, статистику заполнения ям носителями и особенности вывода излучения из структуры. Модель описывает положение максимума спектров и экспоненциальные спады интенсивности в коротковолновой и длинноволновой областях, а также их изменение с током. Обсуждаются проблемы ограничения модели и физический смысл определяемых параметров. Примеры аппроксимации спектров синих светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN показывают необходимость независимого определения температуры активной области и учета интерференции в плоской структуре. Отличия формы спектров от простой модели зависят не только от свойств квантовых ям, но и от неоднородностей распределения In в InGaN. PACS: 78.67.De, 78.60.Fi, 85.60.Dw
  1. E.F. Schubert. Light Emitting Diodes (Cambridge University Press, 2006). www.LightEmittingDiodes.org
  2. В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 33 (4), 445 (1999)
  3. К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31 (9), 1055 (1997)
  4. A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov. Phys. Status Solidi B, 228 (1), 141 (2001)
  5. И.Л. Крестников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Ю.Г. Мусихин, А.П. Карташова, А.С. Усиков, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, И.П. Сошников, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Litvinov, D. Gerthsen, A.C. Plaut, F. Hoffmann, D. Bimberg. ФТП, 34 (4), 496 (2000)
  6. Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 39 (4), 492 (2005)
  7. П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов, Н.М. Шмидт. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (М., 2007) с. 113
  8. А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Н.М. Шмидт, Е.Е. Заварин, А.С. Усиков, Н.Н. Зиновьев, Н.М. Ткачук. ФТП, 36 (6), 679 (2002)
  9. N. Gardner, C. Kocot, W. Goetz, M. Huerschen, C. Flory, D. Bour, T. Takeuchi, S. Stockman, M. Misra, Yu.-C. Shen, M. Krames, R.S. Kern. 4th Int. Conf. on Nitride Semicond. (Denver, July, 2001). Book of Abstract, p. 38, PM B6.1
  10. С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37 (9), 1131 (2003)
  11. A. Hangleiter, J.S. Im, H. Kollmer, S. Heppel, J. Off, F. Scholz. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 15 (1998). http://nsr.mij.mrs.org/3/15/
  12. K.A. Bulashevich, V.F. Mymrin, S.Yu. Karpov, I.A. Zhmakin. J. Comput. Phys., 213 (1), 214 (2006)
  13. K.A. Bulashevich, I.Yu. Evstratov, V.F. Mymrin, S.Yu. Karpov. Phys. Status Solidi C, 4 (1), 45 (2007)
  14. X. Guo, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 78, 3337 (2001)
  15. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  16. С.Г. Калашников, В.Л. Бонч-Бруевич. Физика полупроводников (М., Наука, 1979)
  17. F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
  18. R. Chingolani, W. Stolz, K. Ploog. Phys. Rev. B, 40, 2950 (1989)
  19. Л.П. Авакянц, М.Л. Бадгутдинов, П.Ю. Боков, А.В. Червяков, С.С. Широков, А.Э. Юнович, А.А. Богданов, Е.Д. Васильева, Д.А. Николаев, А.В. Феопентов. ФТП, 41 (9), 1078 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.