Вышедшие номера
Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта в p-CdxHg1-xTe, обусловленные перезарядкой поверхностных состояний
Гасан-заде С.Г.1, Стриха М.В.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

В кристаллах p-CdxHg1-xTe обнаружен ряд аномалий фотоэлектромагнитного эффекта, которые не находят объяснения в рамках существующих теоретических представлений. Построена общая модель фотоэлектромагнитного эффекта для полупроводников с большим отношением подвижностей электронов и дырок и с учетом влияния пространственного заряда. Модель позволяет объяснить все экспериментально наблюдаемые аномалии фотоэлектромагнитного эффекта, в том числе двойную смену знака в магнитном поле. Сравнение теории с экспериментом дает возможность определить параметры материала. Предполагается, что пространственный заряд, ответственный за аномалии фотоэлектромагнитного эффекта, связан с наличием особых поверхностных состояний с очень высокой концентрацией (~1013 см-3), которые перезаряжаются из-за захвата ими неравновесных носителей. PACS: 73.50.Gr, 73.50.Pz, 75.80.+q, 78.20.Ls