Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 4 » Статья стр. 423
<<<>>>
Собственный окисел, возникающий на поверхности скола селенида галлия в результате длительного хранения
Драпак С.И.1, Гаврилюк С.В.1, Ковалюк З.Д.1, Литвин О.С.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
PDF версия
Исследована кристаллическая структура и морфология поверхности собственного окисла, возникающего на поверхности скола (0001) нелегированных и легированных Cd или Dy монокристаллов слоистого GaSe в результате длительного хранения в воздушной атмосфере. Проанализированы причины, которые приводят к различию внешнего вида окисных пленок на поверхности нелегированных (матовая поверхность) и легированных образцов (прозрачные пленки). Представлены результаты исследования электрических свойств систем <селенид галлия>-<собственный окисел>. Показано, что для пленок собственного окисла на поверхности GaSe характерна токовая неустойчивость с N-образной вольт-амперной характеристикой. Рассмотрено влияние относительной влажности воздуха на емкость и удельное поверхностное сопротивление собственного окисла. Обращено внимание на низкие значения эффективной диэлектрической постоянной собственного окисла. PACS: 68.35.Ct, 73.40.Kp, 73.40.Cg, 73.40.Qv, 81.65.Mq
  1. С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. Письма ЖТФ, 27 (18), 1 (2001)
  2. V.A. Manasson, Z.D. Kovalyuk, S.I. Drapak, V.N. Katerinchuk. Electron. Lett., 26 (10), 664 (1990)
  3. А.Г. Кязым-Заде, Р.Н. Мехтиева, А.А. Ахмедов. ФТП, 25 (8), 1392 (1991)
  4. С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. ФТП, 41 (3), 312 (2007)
  5. M. Cote, M.L. Cohen, D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 58 (8), R4277 (1998)
  6. U.K. Gautam, S.R.C. Vivekchand, A. Govindaraj, G.U. Kulkarni, N.R. Selvi, C.N.R. Rao. J. Amer. Chem. Soc., 127 (11), 3658 (2005)
  7. U.K. Gautam, S.R.C. Vivekchand, A. Govindaraj, C.N.R. Rao. Chem. Commun., 31, 3995 (2005)
  8. O.A. Balitskii. Mater. Lett., 60 (6), 594 (2006)
  9. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. Письма ЖТФ, 33 (2), 80 (2007)
  10. R.H. Williams, A.J. McAvej. J. Vac. Sci. Technol., 2, 867 (1972)
  11. J.P. Guesdon, B. Kobbi, C. Julien, M. Balkanski, A. Chevy. Phys. Status Solidi A, 102, 327 (1987)
  12. В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Е.А. Тишин, В.Ф. Чишко. Физическая электроника, 19, 123 (1979)
  13. Л.Н. Добрецов. Электронная и ионная эмиссия (М.--Л., Изд-во АН СССР, 1952)
  14. N.N. Berchenko, O.A. Balitskii, R.V. Lutsiv, V.P. Savchyn, V.I. Vasyltsiv. Mater. Chem. Phys., 51 (2), 125 (1997)
  15. O.A. Balitskii, N.N. Berchenko, V.P. Savchyn. J. Phys. Studies, 4 (4), 431 (2000)
  16. O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, V.O. Yukhymchuk. Semicond. Sci. Technol., 17 (2), L1 (2002)
  17. С.И. Драпак, В.А. Манассон, В.В. Нетяга, З.Д. Ковалюк. ФТП, 37 (2), 180 (2003)
  18. Inorganic Crystal Structure Database (ICSD), (Gmelin--Institut fur Anorganische Chemie and Fachinformationszentrum FIZ Karlsruhe, 1995)
  19. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
  20. Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов, М.Н. Павленко, Г.А. Нетесова, Е.Е. Тутов. ЖТФ 75 (8), 85 (2005)
  21. Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков (М.--Л., Энергия, 1965)
  22. Б.В. Некрасов. Основы общей химии (М., Химия, 1974)
  23. А.Ю. Завражинов, Д.Н. Турчен. Конденсированные среды и межфазные границы, 1 (2), 190 (1999)
  24. M. Passlack, N.E.J. Hunt, E.F. Schubert, G.J. Zydzik, M. Hong, J.P. Mannaerts, R.L. Opila, R.J. Fischer. Appl. Phys. Lett., 64 (2), 2715 (1994)
  25. M.S. Sze. J. Appl. Phys., 38 (2), 2951 (1967)
  26. N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford, Clarendon, 1979)
  27. А.Л. Эфрос, Б.И. Шкловский. УФН, 117 (11), 401 (1975)
  28. С.В. Булярский В.К. Ионычев, В.В. Кузьмин. ФТП, 37 (1), 117 (2003)
  29. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  30. T. Hariu, S. Sasaki, H. Adachi, Y. Shibata. Jap. J. Appl. Phys., 16 (5), 841 (1977)
  31. M. Ogita, N. Saika, Y. Nakanishi, Y. Hatanaka. Appl. Surf. Sci., 142 (1--4), 188 (1999)
  32. M. Ogita, S. Yuasa, K. Kobayashi, Y. Yamada, Y. Nakanishi, Y. Hatanaka. Appl. Surf. Sci., 212--213, 397 (2003)
  33. D. Kohl, Th. Ochs, W. Geyer, M. Fleischer, H. Meixner. Sensors Actuators B: Chem., 59 (2--3), 140 (1999)
  34. C.O. Arean, A.L. Bellan, M.P. Mentruit, M.R. Delgado, G.T. Palomio. Microporous and Mesoporous Mater., 40 (1--3), 35 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme