"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si : H
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

В пленках a-Si : H обнаружено немонотонное изменение с увеличением температуры в интервале 400-480 K концентрации медленных фотоиндуцированных метастабильных состояний и полуширины функции их распределения по времени отжига. Эти немонотонные изменения параметров ансамблей определяются зависящим от температуры соотношением скоростей образования и отжига исследуемых метастабильных состояний. Установлено также, что при уменьшении интенсивности освещения пленки падение концентрации метастабильных состояний и полуширины их распределения по времени отжига начинается при более высоких температурах. Это возможно объяснить, в частности, существенным уменьшением скорости отжига медленных метастабильных состояний по сравнению с уменьшением скорости их фотоиндуцированного образования, включающего, согласно трехуровневой модели, и термический процесс. PACS: 61.43.Dq, 71.23.Cq, 71.55.Jv
  1. J.K. Rath, W. Fuhs, H. Mell. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 279 (1991)
  2. И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт, Д.В. Сенашенко. ФТП, 31, 1455 (1997)
  3. D. Redfield. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (Pittsburgh), N 258, 341 (1992)
  4. Н.Н. Ормонт, И.А. Курова, И.П. Звягин. Тез. докл. 5-й Росс. конф. по физике полупроводников (Н. Новгород, 2001) т. 1, с. 153
  5. Н.Н. Ормонт, И.А. Курова, Г.В. Прокофьев. ФТП, 39, 960 (2005),

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.