Рассмотрено влиняние эффектов захвата на характеристики детекторов ионизирующего излучения из полуизолирующего арсенида галлия. Генерация неравновесных электронов и дырок вдоль всей толщины активной области осуществлялась при освещении инфракрасным светодиодом с длиной волны 0.9 мкм. При этом моделировалась ситуация, которая возникает в приборной структуре при воздействии на нее рентгеновского излучения или потока высокоэнергетических электронов. Показано, что в этом случае изменение формы выходного сигнала со временем вызвано изменением профиля электрического поля вследствие захвата дырок на глубокие центры в арсениде галлия. Совершенно другое распределение электрического поля возникает в структуре при облучении полупрозрачного катода структуры красным светодиодом, излучение которого проникает в активную область всего на 1 мкм. В этом случае трансформация электрического поля обусловлена захватом электронов. При длительном воздействии такого излучения в приборе возникает режим тока, ограниченного пространственным зарядом. PACS: 42.79.Pw, 81.05.Ea, 85.25.Oj, 85.30.De, 87.66.Pm

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.