"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование SiOx-слоев при плазменном распылении Si- и SiO2-мишеней
Карпов А.Н.1, Марин Д.В.2, Володин В.А.2, Jedrzejewski J.3, Качурин Г.А.2, Savir E.3, Шварц Н.Л.2, Яновицкая З.Ш.2, Goldstein Y.3, Balberg I.3
1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel
Поступила в редакцию: 8 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

При совместном распылении в аргоновой плазме разнесенных в пространстве Si- и SiO2-мишеней осуществлялось осаждение слоев SiOx переменного состава на кремниевые пластины. Координатные зависимости толщины и показателя преломления отдельно осажденных Si- и SiO2-слоев, а также слоя SiOx, полученного при совместном распылении мишеней, определялись с помощью оптических методик. Показано, что состав SiOx-слоя не соответствует простой сумме толщин отдельно осажденных Si- и SiO2-слоев. Выполнены расчеты координатных зависимостей толщины Si- и SiO2-слоев. Для совмещения расчетных и экспериментальных данных необходимо предположить, что при совместном распылении не менее 10% кремния превращается в диоксид. Сопоставление координатных зависимостей ИК-поглощения в SiO2- и SiOx-слоях с экспериментальными данными по эллипсометрии подтвердило наличие избыточного кислорода в SiOx-слое. С учетом такого частичного окисления распыляемого кремния рассчитаны кривые равного состава в плоскости подложки. После отжига SiOx-слоя при 1200oC, в заранее рассчитанной области пластины наблюдалась фотолюминесценция, связанная с появлением квантово-размерных нанокристаллитов Si. Она была наиболее интенсивна при x=1.78±0.3, что близко к оптимальному составу при ионно-лучевом синтезе нанокристаллов. PACS: 61.46.Bc, 78.55.-m, 78.67.Bf, 81.15.Cd
  • M. Dovrat, Y. Goshen, J. Jedrzejewski, I. Balberg, A. Sa'ar. Phys. Rev. B, 69 (15), 5311 (2004)
  • P. Photopulos, A.G. Nassiopoulou, D.N. Kouvatsos, A. Travlos. Appl. Phys. Lett., 76, 3588 (2000)
  • L. Komenkova, N. Korsunska, V. Yuhimchuk, B. Junayev, T. Torchynska, A.V. Hernandex, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir, J. Jedrzejewski. J. Luminesc., 102--103, 705 (2003)
  • G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 122, 571 (1997)
  • T. Takahashi, S. Fukatsu, K.M. Itoh, M. Uematsu, A. Fujiwara, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Shiraishi. J. Appl. Phys., 93, 3674 (2003)
  • K. Furukawa, Y. Liu, H. Nakashima, D. Gao, K. Uchino, K. Muraoka, H. Tsuzuki. Appl. Phys. Lett., 72, 725 (1998)
  • Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП, 32 (11), 1371 (1998)
  • D. Comedi, O.H.Y. Zalloum, E.A. Irving, J. Wojcik, T. Roschuk, M.J. Flynn, P. Mascher. J. Appl. Phys., 99 (2), 3518 (2006)
  • А.В. Ржанов, К.К. Свиташев, А.И. Семененко, Л.В. Семененко, В.К. Соколов. Основы эллипсометрии (Новосибирск, Наука, 1978)
  • Р. Аззам, Р. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981)
  • D.E. Aspnes. Thin Sol. Films, 89, 249 (1982)
  • C.T. Kirk. Phys. Rev. B, 38, 1255 (1988)
  • В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Интерпресс ЛТД, 1997)
  • W.A. Pliskin, H.S. Lehman. J. Electrochem. Soc., 112, 1013 (1965)
  • F. Giustino, A. Pasquarello. Phys. Rev. Lett., 95 (18), 7402 (2005)
  • В.А. Данько, И.З. Индутный, В.С. Лысенко, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, А.Н. Назаров, А.С. Ткаченко, П.Е. Шепелявый. ФТП, 39, 1239 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.