При совместном распылении в аргоновой плазме разнесенных в пространстве Si- и SiO₂-мишеней осуществлялось осаждение слоев SiO_x переменного состава на кремниевые пластины. Координатные зависимости толщины и показателя преломления отдельно осажденных Si- и SiO₂-слоев, а также слоя SiO_x, полученного при совместном распылении мишеней, определялись с помощью оптических методик. Показано, что состав SiO_x-слоя не соответствует простой сумме толщин отдельно осажденных Si- и SiO₂-слоев. Выполнены расчеты координатных зависимостей толщины Si- и SiO₂-слоев. Для совмещения расчетных и экспериментальных данных необходимо предположить, что при совместном распылении не менее 10% кремния превращается в диоксид. Сопоставление координатных зависимостей ИК-поглощения в SiO₂- и SiO_x-слоях с экспериментальными данными по эллипсометрии подтвердило наличие избыточного кислорода в SiO_x-слое. С учетом такого частичного окисления распыляемого кремния рассчитаны кривые равного состава в плоскости подложки. После отжига SiO_x-слоя при 1200^oC, в заранее рассчитанной области пластины наблюдалась фотолюминесценция, связанная с появлением квантово-размерных нанокристаллитов Si. Она была наиболее интенсивна при x=1.78±0.3, что близко к оптимальному составу при ионно-лучевом синтезе нанокристаллов. PACS: 61.46.Bc, 78.55.-m, 78.67.Bf, 81.15.Cd

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.