"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективная генерация первой волноводной моды в гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP
Бирюков А.А.1, Звонков Б.Н.1, Некоркин С.М.1, Алёшкин В.Я.2, Дубинов А.А.2, Кочаровский В.В.3,4, Кочаровский Вл.В.4
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Физический факультет Техасского A&М университета, Колледж Стейшн, США
4Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 3 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Исследована генерация первой возбужденной поперечной моды (TE1) в диодном гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP новой конструкции, центральная часть волновода которого содержит тонкий слой InGaP. Данная конструкция лазера снижает конкуренцию первой и основной мод и обеспечивает генерацию моды TE1 при величине порогового тока, сравнимого с величиной порогового тока обычного лазера, генерирующего основную моду TE0. PACS: 42.55.Px, 42.65.An, 42.70.Nq, 78.67.De
  1. M. Jager, G.I. Stegeman, M.C. Flipse, M. Diemeer, G. Mohlmann. Appl. Phys. Lett., 69, 4139 (1996)
  2. В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.Б. Звонков. ФТП, 35, 1256 (2001)
  3. А.А. Белянин, Д. Деппе, В.В. Кочаровский, Вл.В. Кочаровский, Д.С. Пестов, М.О. Скалли. УФН, 173, 1015 (2003)
  4. A.A. Biryukov, V.Ya. Aleshkin, S.M. Nekorkin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky. J. Mod. Opt., 52, 2323 (2005)
  5. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 2, гл. 7, с. 204

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.