"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические и структурные свойства двусторонне delta-легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs
Васильевский И.С.1, Галиев Г.Б.1, Климов Е.А.1, Мокеров В.Г.1, Широков С.С.1, Имамов Р.М.2, Субботин И.А.2
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Проведена оптимизация используемой для создания мощных транзисторов двусторонне delta-легированной кремнием псевдоморфной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/AlGaAs для получения высокой концентрации ns и подвижности двумерного электронного газа в квантовой яме (ns~3·1012 см-2). На выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии образцах с различным уровнем легирования проведены исследования электрофизических и структурных характеристик. Показано, как при увеличении легирования изменяется подвижность и концентрация электронов при последовательном заполнении подзон размерного квантования. Для анализа распределения электронов в подзонах гетероструктуры исследовались осцилляции Шубникова--де-Гааза при температуре жидкого гелия. Качество слоев гетероструктур оценено с помощью рентгенодифракционных измерений. Данные спектроскопии фотолюминесценции хорошо согласуются с расчетами зонной структуры. PACS: 73.50.Jt, 73.61.Ey, 73.63.Hs, 78.67.De, 73.43.Qt, 61.10.Nz
  1. C. Gaquiere, J. Grunenutt, D. Jambon, E. Dolos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Electron. Dev. Lett., 26 (8), 533 (2005)
  2. M.V. Baeta Moreira, M.A. Py, M. Gailhanou, M. Ilegems. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 103 (1992)
  3. C.S. Wu, F. Ren, S.J. Pearton, M. Hu, C.K. Pao, R.F. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., 42, 1419 (1995)
  4. X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St. Electron., 45, 751 (2001)
  5. X. Cao, Y. Zheng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu, X. Wang, Y. Chang, J. Chu. J. Cryst. Growth, 231, 520 (2001)
  6. C.S. Wu, C.K. Pao, W. Yau, H. Kanber, M. Hu, S.X. Bar, A. Kurdoghlian, Z. Bardai, D. Bosch, C. Seashore, M. Gawronski. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniq., 43, 257 (1995)
  7. W.E. Hoke, P.S. Lyman, W.H. Labossier, S.K. Brierley, H.T. Hendriks, S.R. Shanfield, L.M. Aucoin, T.E. Kazior. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1066 (1992)
  8. G.L. Zhou, W. Liu, M.E. Lin. J. Cryst. Growth, 227-228, 218 (2001)
  9. K.T. Chan, M.J. Lighther, G.A. Patterson, K.M. Yu. Appl. Phys. Lett., 56, 2022 (1990)
  10. H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 75, 3908 (1994)
  11. K.J. Chao, N. Liu, C.K. Shin. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999)
  12. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров. Микроэлектроника, 35 (2), 67 (2006)
  13. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
  14. H.M. Sheih, W.C. Hsu, C.L. Wu. Appl. Phys. Lett., 63, 509 (1993)
  15. A. Leuthery, A. Forstery, H. Lethy, H. Holzbrecherz, U. Breuer. Semicond. Sci. Technol., 11, 766 (2000)
  16. S.C. Jainyz, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)
  17. А.М. Афанасьев, Р.М. Имамов. Кристаллография, 48 (5), 786 (2003)
  18. P.W. Yu, B. Jogai, T.J. Rogers, P.A. Martin, J.M. Ballingall. J. Appl. Phys., 76, 7535 (1994)
  19. S.K. Brierley. J. Appl. Phys., 74, 2760 (1993)
  20. С.Н. Якунин, Э.М. Пашаев, А.А. Зайцев. Микроэлектроника, 34 (4), 1 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.