"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Барические свойства квантовых точек InAs
Новиков Б.В.1, Зегря Г.Г.2, Пелещак Р.М.3, Данькив О.О.3, Гайсин В.А.1, Талалаев В.Г.1,4, Штром И.В.1, Цырлин Г.Э.2,5,4
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный комплекс Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

В рамках модели деформационного потенциала рассчитаны барические зависимости энергетической структуры квантовых точек InAs в матрице GaAs. В предположении отсутствия взаимодействия между квантовыми точками, имеющими сферическую форму и одинаковые размеры, найдена зависимость барического коэффициента энергии излучательного перехода в квантовой точке от величины энергии. Подобная зависимость обнаружена также экспериментально в спектрах фотолюминесценции при всестороннем сжатии структур InAs/GaAs. Обсуждаются качественное согласие теории и эксперимента, а также возможные причины их количественного различия. Делается вывод о вкладе в это различие таких факторов, как дисперсия размеров, кулоновское взаимодействие носителей заряда и туннельное взаимодействие квантовых точек. PACS: 73.21.La, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.40. Tv
  1. В.П. Евтихиев, О.В. Константинов. ФТП, 36, 79 (2002)
  2. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, T. Kettler, K. Posilovic, D. Bimberg, L.Y. Karachinsky, A.Y Gladyshev, M.V. Maximov, I.I. Novikov, Y.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. J. Cryst. Growth, 301, 914 (2007)
  3. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (Oxford University Press, 2003)
  4. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  5. V.A. Shchukin, D. Bimberg. Appl. Phys. A, 67, 687 (1998)
  6. В.Г. Дубровский, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, Н.В. Крыжановская, Н.В. Берт, В.М. Устинов. ФТП, 38, 342 (2004)
  7. I.E. Itskevich, M. Henini, H.A. Carmona, L. Eaves, P.C. Main, D.K. Maude, J.C. Portal. Appl. Phys. Lett., 70, 505 (1997)
  8. В.А. Гайсин, Динь Шон Тхак, Б.С. Кулинкин, Б.В. Новиков, В.Н. Петров, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 4 (N 28), 120 (2000)
  9. В.А. Гайсин, Динь Шон Тхак, Б.С. Кулинкин, Б.В. Новиков, В.Н. Петров, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 2 (N 12), 115 (2001)
  10. F.J. Manjon, A.R. Goni, K. Syassen, F. Heinrichsdorff, C. Thomsen. Phys. Status Solidi B, 235, 496 (2003)
  11. B.S. Ma, X.D. Wang, F.H. Su, Z.L. Fang, K. Ding, Z.C. Niu, G.H. Li. J. Appl. Phys., 95, 933 (2004)
  12. V.A. Gaisin, V.G. Talalaev, B.V. Novikov, V.A. Shugunov, N.D. Zakharov, G.E. Cirlin, Y.B. Samsonenko, G.G. Zegrya, R.M. Peleschak, O.O. Dankiv, A.A. Tonkikh, V.A. Egorov, N.K. Polyakov, V.M. Ustinov. Proc. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (Novosibirsk, Russia, 2007) p. 212
  13. G.H. Li, A.R. Goni, K. Syassen, O. Brandt, K. Ploog. Phys. Rev. B, 50, 18 420 (1994)
  14. S.I. Rybchenko, I.E. Itskevich, A.D. Andreev, J. Cahill, A.I. Tartakovskii, M.S. Skolnick, G. Hill, M. Hopkinson. Phys. Status Solidi B, 241, 3257 (2004)
  15. C. Kristukat. A.R. Goni, K. Potschke, D. Bimberg, C. Thomsen. Phys. Staus Solidi B, 244, 53 (2007)
  16. К. Теодосиу. Упругие модели дефектов в кристаллах (М., Мир, 1085)
  17. E. Pehlke, N. Moll, M. Scheffler. Materials Theory, 1, 9607 012 (1996)
  18. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости (М., Мир, 1965)
  19. З. Флюгге. Задачи по квантовой механике (М., Мир, 1974)
  20. A. Qteish, R.J. Needs. Phys. Rev. B, 45, 1317 (1992)
  21. Chris G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  22. V.G. Talalaev, B.V. Novikov, M.A. Smirnov, V.V. Kachkarov, G. Gobsch, R. Goldhahn, A. Winzer, G.E. Cirlin, V.A. Egorov, V.M. Ustinov. Nanotechnolgy, 13, 143 (2002)
  23. В.А. Гайсин, Динь Шон Тхак, Б.С. Кулинкин, Б.В. Новиков, В.Н. Петров, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 1 (N 4), 120 (2002)
  24. V.A. Gaisin, B.V. Novikov, V.G. Talalaev, A.S. Sokolov, I.V. Shtrom, V.A. Chugunov, G.E. Cirlin, Y.B. Samsonenko, A.A. Tonkikh. Procc. 13th Int. Symp. "Nanoctructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2005) p. 352
  25. V.G. Talalaev, B.V. Novikov, G. Gobsch, R. Goldhahn, N. Stein, J.W. Tomm, A. Maassdorf, G.E. Cirlin, V.N. Petrov, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi B, 224, 101 (2001)
  26. V.G. Talalaev, J.W. Tomm, N.D. Zakharov, P. Werner, B.V. Novikov, A.A. Tonkikh. Appl. Phys. Lett., 85, 284 (2004)
  27. J. Phillips, P. Bhattacharya, U. Venkateswaran. Appl. Phys. Lett., 74, 1549 (1999)
  28. S.I. Rybchenko, I.E. Itskevich, M.S. Skolnick, J. Cahill, A.I. Tartakovskii, G. Hill, M. Hopkinson. Appl. Phys. Lett., 87, 033 104 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.