Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур на основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло

Попова Т.Б.¹, Бакалейников Л.А.¹, Заморянская М.В.¹, Флегонтова Е.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 июля 2007 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены особенности рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых гетероструктур на основе твердых растворов A^IIIB^V и A^IIB^VI с тонкими эпитаксиальными слоями. На основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло рассмотрено влияние слоя и подложки на распределение генерации рентгена по глубине. Продемонстрировано хорошее согласие расчетных и экспериментальных значений отношения интенсивностей излучения из слоя и массивного образца для модельных структур Al_0.2Ga_0.8As на подложке GaAs с разными толщинами слоя. Предложены методики, позволяющие проводить корректный микроанализ слоев с толщинами, большими 50 нм, а также одновременно определять состав и толщину эпитаксиальных слоев. Разработанные методики можно использовать при анализе тонких слоев и в других системах. PACS: 79.60.Jv, 78.70.-g, 68.49.Jk, 78.70.En

J.I. Goldstein, D.E. Newberry, P. Echlin, D.C. Joy, C.E. Lyman, E. Lifshin, L. Sawyer, J.R. Michael. Scanning Electron Microscopy and X-ray microanalysis (N.Y.--Dordrecht--London-- Moscow, Kluwer Academic/Plenum Publishers, 2003)
Электронный архив http:// www.ioffe.rssi.ru/ES/
Д. Пайнс. Элементарные возбуждения в твердых телах (М., Мир, 1965)
D.R. Penn. Phys. Rev. B, 35, 482 (1987)
R. Shimizu, Z.J. Ding. Rep. Progn. Phys., 55, 487 (1992)
C.J. Powell, A. Jablonski. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 1122 (1999)
W.S.M. Werner, C. Tomastik, T. Cabela, G. Richter, H. Stori. Surf. Sci. Lett., 470, L123 (2000)
Z.J. Ding, H.M. Li, K. Goto, J.Z. Jiang, R. Shimizu. J. Appl. Phys., 96, 4598 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель