Рассмотрены особенности рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых гетероструктур на основе твердых растворов A^IIIB^V и A^IIB^VI с тонкими эпитаксиальными слоями. На основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло рассмотрено влияние слоя и подложки на распределение генерации рентгена по глубине. Продемонстрировано хорошее согласие расчетных и экспериментальных значений отношения интенсивностей излучения из слоя и массивного образца для модельных структур Al_0.2Ga_0.8As на подложке GaAs с разными толщинами слоя. Предложены методики, позволяющие проводить корректный микроанализ слоев с толщинами, большими 50 нм, а также одновременно определять состав и толщину эпитаксиальных слоев. Разработанные методики можно использовать при анализе тонких слоев и в других системах. PACS: 79.60.Jv, 78.70.-g, 68.49.Jk, 78.70.En

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.