Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn при выключении
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Поступила в редакцию: 16 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
Результаты экспериментального исследования процесса спада тока, протекающего через тонкопленочную электролюминесцентную МДПДМ структуру, свидетельствуют о бимолекулярном процессе захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела. Предложена двухстадийная модель процесса, на первой стадии которой происходит ударный оже-захват горячих электронов. На второй стадии при смене направления поля дырки валентной зоны, генерированные за счет туннельной эмиссии с глубоких центров, дрейфуют к этой границе, где рекомбинируют с электронами наиболее глубоких заполненных поверхностных состояний. Определены время жизни электронов, скорость поверхностного захвата и сечение захвата электронов, их зависимости от параметров напряжения возбуждения, а также объяснено поведение зависимости мгновенного внутреннего квантового выхода от времени на участке спада. PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 78.60.Fi
- E. Bringuier. J. Appl. Phys., 66 (3), 1314 (1989)
- V.P. Singh, S. Krishna, D.C. Morton. J. Appl. Phys., 70 (3), 1811 (1991)
- Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 72 (2), 74 (2002)
- Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 73 (4), 100 (2003)
- Н.Т. Гурин, А.М. Афанасьев, О.Ю. Сабитов, Д.В. Рябов, ФТП, 40 (8), 949 (2006)
- K.A. Neyts, P. De Visschere. J. Appl. Phys., 68 (8), 4163 (1990)
- J.C. Hitt, P.D. Keir, J.F. Wager, S.S. Sun. J. Appl. Phys., 83 (2), 1141 (1998)
- Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.М. Афанасьев. ФТП, 41 (10), 1168 (2007)
- Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.В. Шляпин. ЖТФ, 71 (8), 48 (2001)
- E. Bringuier. Phil. Mag. B, 75 (2), 209 (1997)
- P.D. Keir, C. Maddix, B.A. Baukol, J.F. Wager, B.L. Clark, D.A. Keszler. J. Appl. Phys., 86 (12), 6810 (1999)
- А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
- В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.Б. Толпыго. Неравновесные процессы в полупроводниковых приборах (М., Сов. радио, 1977)
- Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 76 (8), 50 (2006)
- K.A. Neyts, D. Corlatan, P. De Visschere, J. Van der Bossche. J. Appl. Phys., 75 (10), 5339 (1994)
- Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов, Д.В. Рябов. ЖТФ, 73 (4), 90 (2003)
- Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов. ЖТФ, 75 (1), 45 (2005)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1963)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
