"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn при выключении
Гурин Н.Т.1, Сабитов О.Ю.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Результаты экспериментального исследования процесса спада тока, протекающего через тонкопленочную электролюминесцентную МДПДМ структуру, свидетельствуют о бимолекулярном процессе захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела. Предложена двухстадийная модель процесса, на первой стадии которой происходит ударный оже-захват горячих электронов. На второй стадии при смене направления поля дырки валентной зоны, генерированные за счет туннельной эмиссии с глубоких центров, дрейфуют к этой границе, где рекомбинируют с электронами наиболее глубоких заполненных поверхностных состояний. Определены время жизни электронов, скорость поверхностного захвата и сечение захвата электронов, их зависимости от параметров напряжения возбуждения, а также объяснено поведение зависимости мгновенного внутреннего квантового выхода от времени на участке спада. PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 78.60.Fi
  1. E. Bringuier. J. Appl. Phys., 66 (3), 1314 (1989)
  2. V.P. Singh, S. Krishna, D.C. Morton. J. Appl. Phys., 70 (3), 1811 (1991)
  3. Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 72 (2), 74 (2002)
  4. Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 73 (4), 100 (2003)
  5. Н.Т. Гурин, А.М. Афанасьев, О.Ю. Сабитов, Д.В. Рябов, ФТП, 40 (8), 949 (2006)
  6. K.A. Neyts, P. De Visschere. J. Appl. Phys., 68 (8), 4163 (1990)
  7. J.C. Hitt, P.D. Keir, J.F. Wager, S.S. Sun. J. Appl. Phys., 83 (2), 1141 (1998)
  8. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.М. Афанасьев. ФТП, 41 (10), 1168 (2007)
  9. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.В. Шляпин. ЖТФ, 71 (8), 48 (2001)
  10. E. Bringuier. Phil. Mag. B, 75 (2), 209 (1997)
  11. P.D. Keir, C. Maddix, B.A. Baukol, J.F. Wager, B.L. Clark, D.A. Keszler. J. Appl. Phys., 86 (12), 6810 (1999)
  12. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
  13. В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.Б. Толпыго. Неравновесные процессы в полупроводниковых приборах (М., Сов. радио, 1977)
  14. Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 76 (8), 50 (2006)
  15. K.A. Neyts, D. Corlatan, P. De Visschere, J. Van der Bossche. J. Appl. Phys., 75 (10), 5339 (1994)
  16. Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов, Д.В. Рябов. ЖТФ, 73 (4), 90 (2003)
  17. Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов. ЖТФ, 75 (1), 45 (2005)
  18. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.