"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением
Поцяск М.1, Ижнин И.И.2, Дворецкий С.А.3, Михайлов Н.Н.3, Сидоров Ю.Г.3, Варавин В.С.3, Мынбаев К.Д.4, Иванов-Омский В.И.4
1Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
2НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Исследованы электрические свойства модифицированных ионным травлением гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, нелегированных и легированных в процессе роста индием. Установлено, что в этих структурах присутствуют исходно нейтральные дефекты с концентрацией ~1017 см-3, которые активируются ионным травлением и образуют донорные центры. Сопоставление полученных экспериментальных результатов с литературными данными показывает, что эти дефекты формируются на стадии роста структур. После остановки ионного травления донорные центры распадаются и через ~5·103 мин концентрация электронов в структурах стабилизируется. Полученные данные позволяют определять количество индия, требуемое для получения воспроизводимой концентрации электронов в n-областях фотодиодных структур на основе HgCdTe, сформированных ионным травлением. PACS: 61.72.Vv, 61.80.Jh, 66.30.Jt, 73.61.Ga
  1. В.П. Пономаренко. УФН, 173, 649 (2003)
  2. D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 19, 965 (2008)
  3. I.I. Izhnin, V.V. Bogoboyashchyy, F.F. Sizov. Proc. SPIE, 5881, 58821OU (2005)
  4. I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, B.B. Prytuljak. Proc. SPIE, 3182, 383 (1997)
  5. E. Belas, V.V. Bogoboyashchyy, R. Grill, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov, V.A. Yudenkov. J. Electron. Mater., 32, 698 (2003)
  6. Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
  7. V.V. Bogoboyashchyy, A.I. Elizarov, I.I. Izhnin. Semicond. Sci. Technol., 20, 726 (2005)
  8. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. ФТП, 42, 664 (2008)
  9. В.В. Богобоящий. ФТП, 36, 1418 (2002)
  10. I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev, M. Pociask. Appl. Phys. Lett., 91, 132 106 (2007)
  11. V.V. Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, A.P. Vlasov, M. Pociask. Semicond. Sci. Technol., 21, 1144 (2006)
  12. В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин, М. Поцяск, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 41, 826 (2007)
  13. E. Belas, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, R. Varghova, P. Hoschl, H. Sitter, A.L. Toth. J. Cryst. Growth, 224, 52 (2001)
  14. V.V. Bogoboyashchyy, S.A. Dvoretsky, I.I.Izhnin, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, V.S. Varavin, V.A. Yudenkov. Phys. Status Solidi C, 1, 355 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.