Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением

Поцяск М.¹, Ижнин И.И.², Дворецкий С.А.³, Михайлов Н.Н.³, Сидоров Ю.Г.³, Варавин В.С.³, Мынбаев К.Д.⁴, Иванов-Омский В.И.⁴

¹Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
²НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁴Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 марта 2008 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

PDF версия

Исследованы электрические свойства модифицированных ионным травлением гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, нелегированных и легированных в процессе роста индием. Установлено, что в этих структурах присутствуют исходно нейтральные дефекты с концентрацией ~10¹⁷ см^-3, которые активируются ионным травлением и образуют донорные центры. Сопоставление полученных экспериментальных результатов с литературными данными показывает, что эти дефекты формируются на стадии роста структур. После остановки ионного травления донорные центры распадаются и через ~5·10³ мин концентрация электронов в структурах стабилизируется. Полученные данные позволяют определять количество индия, требуемое для получения воспроизводимой концентрации электронов в n-областях фотодиодных структур на основе HgCdTe, сформированных ионным травлением. PACS: 61.72.Vv, 61.80.Jh, 66.30.Jt, 73.61.Ga

В.П. Пономаренко. УФН, 173, 649 (2003)
D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 19, 965 (2008)
I.I. Izhnin, V.V. Bogoboyashchyy, F.F. Sizov. Proc. SPIE, 5881, 58821OU (2005)
I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, B.B. Prytuljak. Proc. SPIE, 3182, 383 (1997)
E. Belas, V.V. Bogoboyashchyy, R. Grill, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov, V.A. Yudenkov. J. Electron. Mater., 32, 698 (2003)
Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
V.V. Bogoboyashchyy, A.I. Elizarov, I.I. Izhnin. Semicond. Sci. Technol., 20, 726 (2005)
В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. ФТП, 42, 664 (2008)
В.В. Богобоящий. ФТП, 36, 1418 (2002)
I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev, M. Pociask. Appl. Phys. Lett., 91, 132 106 (2007)
V.V. Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, A.P. Vlasov, M. Pociask. Semicond. Sci. Technol., 21, 1144 (2006)
В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин, М. Поцяск, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 41, 826 (2007)
E. Belas, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, R. Varghova, P. Hoschl, H. Sitter, A.L. Toth. J. Cryst. Growth, 224, 52 (2001)
V.V. Bogoboyashchyy, S.A. Dvoretsky, I.I.Izhnin, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, V.S. Varavin, V.A. Yudenkov. Phys. Status Solidi C, 1, 355 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель