Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением
1Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
2НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
Исследованы электрические свойства модифицированных ионным травлением гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, нелегированных и легированных в процессе роста индием. Установлено, что в этих структурах присутствуют исходно нейтральные дефекты с концентрацией ~1017 см-3, которые активируются ионным травлением и образуют донорные центры. Сопоставление полученных экспериментальных результатов с литературными данными показывает, что эти дефекты формируются на стадии роста структур. После остановки ионного травления донорные центры распадаются и через ~5·103 мин концентрация электронов в структурах стабилизируется. Полученные данные позволяют определять количество индия, требуемое для получения воспроизводимой концентрации электронов в n-областях фотодиодных структур на основе HgCdTe, сформированных ионным травлением. PACS: 61.72.Vv, 61.80.Jh, 66.30.Jt, 73.61.Ga
- В.П. Пономаренко. УФН, 173, 649 (2003)
- D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 19, 965 (2008)
- I.I. Izhnin, V.V. Bogoboyashchyy, F.F. Sizov. Proc. SPIE, 5881, 58821OU (2005)
- I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, B.B. Prytuljak. Proc. SPIE, 3182, 383 (1997)
- E. Belas, V.V. Bogoboyashchyy, R. Grill, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov, V.A. Yudenkov. J. Electron. Mater., 32, 698 (2003)
- Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
- V.V. Bogoboyashchyy, A.I. Elizarov, I.I. Izhnin. Semicond. Sci. Technol., 20, 726 (2005)
- В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. ФТП, 42, 664 (2008)
- В.В. Богобоящий. ФТП, 36, 1418 (2002)
- I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev, M. Pociask. Appl. Phys. Lett., 91, 132 106 (2007)
- V.V. Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, A.P. Vlasov, M. Pociask. Semicond. Sci. Technol., 21, 1144 (2006)
- В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин, М. Поцяск, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 41, 826 (2007)
- E. Belas, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, R. Varghova, P. Hoschl, H. Sitter, A.L. Toth. J. Cryst. Growth, 224, 52 (2001)
- V.V. Bogoboyashchyy, S.A. Dvoretsky, I.I.Izhnin, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, V.S. Varavin, V.A. Yudenkov. Phys. Status Solidi C, 1, 355 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
