Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC

Санкин В.И.¹, Шкребий П.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 21 февраля 2008 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследование электронного компонента ударной ионизации в p⁺-n^--n⁺-переходе политипа 6H-SiC привело к обнаружению гигантского всплеска ударной ионизации и возникновению сверхраннего лавинного пробоя. Электрическое поле такого пробоя на ~20% меньше электрического поля пробоя, возникающего при монотонном развитии ударной ионизации. Интересно, что это происходит внезапно, без каких-либо видимых признаков, в частности без возрастания темнового тока, характерного для предпробойного состояния p-n-перехода. Условия возникновения необычного пробоя и его свойства позволили сделать предположение о нелинейных процессах, приводящих к образованию стримера. В плоскости p-n-перехода данный эффект выглядит как светящийся трек шириной ~10 мкм. Эффект происходит в режиме ванье-штарковских лестниц состояний. Последний может стимулировать локальное накопление заряда и образование стримерной структуры. PACS: 73.50.Mx, 73.40.Lq

G.N. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960)
А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1983)
Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, В.И. Санкин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. ФТП, 19, 814 (1985)
V.I. Sankin. Mater. Sci. Forum, 457--460, 701 (2004)
В.И. Санкин. ФТП, 36, 769 (2002)
В.И. Санкин, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин. ФТП, 18, 2184 (1984)
Р.А. Сурис, Б.С. Щамхалова. ФТП, 18, 111 (1984)
М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ЖЭТФ, 94, 321 (1988)
Н.Г. Басов, А.Г. Молчанов, А.С. Насибов, А.З. Обидин, А.Н. Печенов, Ю.М. Павлов. Письма ЖЭТФ, 19, 650 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель