Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 12 » Статья стр. 1448
<<<>>>
Поверхностные состояния на границе раздела n-InN--электролит
Гуткин А.А.1, Рудинский М.Э.1, Брунков П.Н.1, Клочихин А.А.1,2, Давыдов В.Ю.1, Chen H.-Y.3, Gwo S.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
3Department of Physics, National Tsing-Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China
Поступила в редакцию: 20 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
PDF версия
Исследованы зависимости дифференциальной емкости контакта электролит-n-InN (0001) от напряжения смещения. Их анализ на основе модели, аналогичной модели МДП структуры, показывает, что энергетический спектр поверхностных состояний InN выше дна зоны проводимости может быть представлен в виде двух относительно узких полос глубоких уровней, которые могут быть описаны распределением Гаусса. Параметры этих полос: средняя энергия, отсчитываемая от дна зоны проводимости, E1~0.15 эВ и E2~0.9 эВ, среднее квадратическое отклонение Delta E1~0.15-0.25 эВ и Delta E2~0.05-0.1 эВ. Полная плотность состояний в полосах соответственно составляет (1-2.5)·1012 и (0.2-4)·1012 см-2. PACS: 73.40.Mt, 73.20.At
  1. T.D. Veal, I. Mahbood, L.F.J. Piper, C.F. McConville, Hai Lu, W.J. Schaff. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2175 (2004)
  2. Leyla Colakerol, T.D. Veal, Hae-Kyung Jeong, Lukasz Plucinski et al. Phys. Rev. Lett., 97, 237 601 (2006)
  3. J.W.L. Yim, R.E. Jones, K.M. Yu, J.W. Auger III, W. Walukiewicz, W.J. Schaff, J. Wu. Phys. Rev. B, 76, 041 303(R) (2007)
  4. S.R. Morrison. Electrochemistry at Semiconductor and Oxidized Metal Electrodes (Plenum Press, N.Y.--London, 1980)
  5. X. Wang, S.-B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 91, 242 111 (2007)
  6. E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
  7. S. Gwo, C.-L. Wu, C.-H. Shen, W.-H. Chang, T.M. Hsu, J.-S. Wang, J.-T. Hsu. Appl. Phys. Lett., 84, 3765 (2004)
  8. A.A. Klochikhin, V.Yu. Davydov, I.Yu. Strashkova, P.N. Brunkov, A.A. Gutkin, M.E. Rudinsky, H.-Y. Chen, S. Gwo. Phys. Status Solidi (RRL) 1, 159 (2007)
  9. P.N. Brunkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
  10. П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, С.Г. Конников, Л. Ивс, П.С. Майн. ФТП, 32, 1229 (1998)
  11. A.A. Klochikhin, V.Yu. Davydov, I.Yu. Strashkova, S. Gwo. Phys. Rev. B, 76, 235 325 (2007)
  12. T.D. Veal, L.F.J. Piper, M.R. Phillips, M.H. Zareie, Hai Lu, W.J. Scaff, C.F. McConville. Phys. Status Solidi A, 203, 85 (2006)
  13. C.G. Van de Walle, D. Segev. J. Appl. Phys., 101, 081 704 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme