"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантово-размерные гетероструктуры на основе AlGaN для светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона, полученные методом субмонослойной дискретной молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Жмерик В.Н.1, Мизеров А.М.1, Шубина Т.В.1, Сахаров А.В.1, Ситникова А.А.1, Копьев П.С.1, Иванов С.В.1, Луценко Е.В.2, Данильчик А.В.2, Ржеуцкий Н.В.2, Яблонский Г.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 13 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Исследованы особенности молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) соединений AlGaN при относительно низких температурах подложки (до 740oC) и различных стехиометрических условиях роста: азот- и металлобогащенных. Впервые при МПЭ ПА наноструктур с квантовыми ямами (КЯ) AlxGa1-xN/AlyGa1-yN использована дискретная субмонослойная эпитаксия для формирования КЯ и электронных блокирующих слоев без изменения потоков компонентов. Исследованы структурные и оптические свойства слоев AlxGa1-xN в полном диапазоне составов (x=0-1) и наногетероструктур на их основе, демонстрирующих фотолюминесценцию при комнатной температуре с минимальной длиной волны 230 нм. На основании анализа спектров фотолюминесценции объемных слоев и наногетероструктур и их температурных зависимостей делается вывод о наличии локализованных состояний в КЯ. С использованием металлобогащенных условий роста на подложках c-Al2O3 получены гетероструктуры для светодиодов с КЯ AlxGa1-xN/AlyGa1-yN (x=0.4-0.5, y=x+0.15), демонстрирующие электролюминесценцию в ультрафиолетовой области излучения с длиной волны 320 нм. PACS: 85.35.Be, 81.15.Hi, 81.40.Tv, 78.67.De, 81.07.St, 68.43.Nr
  1. W.H. Sun, J.P. Zhang, V. Adivarahan, A. Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, V. Mandavilli, J.W. Yang, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett., 85, 531 (2004)
  2. J. Deng, Yu. Bilenko, A. Lunev, X. Hu, T.M. Katona, J. Zhang, M.S. Shur, R. Gaska. Jap. J. Appl. Phys., 46, L263 (2007)
  3. Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (2006)
  4. G. Kipshidze, V. Kuryatkov, K. Zhu, B. Borisov, M. Holtz, S. Nikishin, H. Temkin. J. Appl. Phys., 93, 1363 (2003)
  5. A.V. Sampath, G.A. Garrett, C.J. Collins, W.L. Sarney, E.D. Readinger, P.G. Newman, H. Shen, M. Wraback. J. Electron. Mater., 35, 641 (2006)
  6. S. Nikishin, M. Holtz, H. Temkin. Jap. J. Appl. Phys., 44, 7221 (2005)
  7. В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.В. Фомин, Д.С. Сизов. ФТП, 38, 705 (2004)
  8. F. Briones, L. Gonzfilez, A. Ruiz. Appl. Phys. A, 49, 729 (1989)
  9. S.V. Ivanov, O.V. Nekrutkina, S.V. Sorokin, V.A. Kaygorodov, T.V. Shubina, A.A. Toropov, P.S. Kop'ev, G. Reuscher, V. Wagner, J. Geurts, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 78, 404 (2001)
  10. A. Kikuchi, M. Yoshizawa, M. Mori, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto, K. Kishino. J. Cryst. Growth, 189/190, 109 (1998)
  11. В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, С.Б. Листошин, С.В. Иванов. Письма ЖТФ, 33, 36 (2007)
  12. S.V. Ivanov, V.N. Jmerik, T.V. Shubina, S.B. Listoshin, A.M. Mizerov, A.A. Sitnikova, M.H. Kim, M. Koike, B.J. Kim, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 301--302, 465 (2007)
  13. Физические величины. Справочник под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  14. J.R. Jenny, J.E. Van Nostrand, R. Kaspi. Appl. Phys. Lett., 72, 531 (1998)
  15. L. He, M.A. Reshchikov, F. Yun, D. Huang, T. King, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 81, 52 178 (2002)
  16. C.J. Collins, A.V. Sampath, G.A. Garrett, W.L. Sarney, H. Shen, M. Wraback, A.Yu. Nikiforov, G.S. Cargill III, V. Dierolf. Appl. Phys. Lett., 86, 31 916 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.